সূত্র: মাঝারি ডটকম
এইচজেটি হিটারো-জংশন সৌর কোষের সংক্ষিপ্ত বিবরণ। ১৯৮০ এর দশকে জাপানি সংস্থা সানিয়ো দ্বারা প্রবর্তিত, তারপরে ২০১০-এর দশকে প্যানাসনিকের দ্বারা অধিগ্রহণ করা, এইচজেটি লেখার সময়কালের জনপ্রিয় পার্কসোলার কোষের সম্ভাব্য উত্তরসূরি হিসাবে বিবেচিত হয়, পাশাপাশি অন্যান্য প্রযুক্তি যেমন পার্ট ট্যান্ডটপকন।
এইচজেটির কম সেল প্রসেসিং পদক্ষেপের সংখ্যা এবং কোষের প্রক্রিয়াকরণের তাপমাত্রা অনেক কম হওয়ায় এই আর্কিটেকচারটিতে বর্তমান সোলার সেল উত্পাদন লাইনগুলি সহজতর করার সম্ভাবনা রয়েছে যা বর্তমানে ভারীভাবে পিইআরসি প্রযুক্তির উপর নির্ভরশীল।
চিত্র 1 হিসাবে দেখানো হয়েছে, এইচজেটি জনপ্রিয় পিইআরসি কাঠামোর থেকে খুব আলাদা। ফলস্বরূপ, এই দুটি স্থাপত্যের মধ্যে উত্পাদন প্রক্রিয়া খুব আলাদা। এন-পার্ট বা টপকন এর তুলনায়, যা বর্তমান পিইআরসি লাইনগুলি থেকে আপগ্রেড করা যেতে পারে, ভর উত্পাদন শুরু করতে এইচজেটিটির নতুন সরঞ্জামগুলিতে উল্লেখযোগ্য মূলধন বিনিয়োগের প্রয়োজন।
অতিরিক্ত হিসাবে, অনেকগুলি নতুন প্রযুক্তির মতো, এইচজেটির দীর্ঘমেয়াদী অপারেশন / উত্পাদন স্থায়িত্ব এখনও পর্যালোচনাাধীন। এটি উচ্চ তাপমাত্রা প্রক্রিয়াগুলির মতো নিরাকার সি'র সংবেদনশীলতার মতো প্রক্রিয়াজাতকরণের চ্যালেঞ্জগুলির কারণে এটি।
এইচজেটি উচ্চ মানের হাইড্রোজেনেটেড অন্তর্নিহিত নিরাকার সি (আ-সি: এইচ: চিত্র 1) এর জন্য উচ্চ সৌর কোষের দক্ষতা প্রদর্শন করে যা সি ওয়েফারগুলির সামনের এবং পিছনের উভয় পৃষ্ঠের (উভয় এন-টাইপ এবং পি-টাইপ )কে চিত্তাকর্ষক ত্রুটিযুক্ত প্যাসিভেশন সরবরাহ করতে পারে thanks polarity)।
স্বচ্ছ পরিচিতি হিসাবে আইটিওর ব্যবহার বর্তমান প্রবাহকেও উন্নত করে, যখন অনুকূল আলো ক্যাপচার সরবরাহ করতে প্রতিবিম্ব প্রতিরোধক স্তরকেও অভিনয় করে। তদুপরি, আইটিও কম তাপমাত্রায় sputtering মাধ্যমে জমা করা যেতে পারে, ফলে নিরাকার স্তর পুনরায় স্ফটিক এড়ানো যে বাল্ক সি পৃষ্ঠতলে উপকরণের Passivation গুণমান প্রভাবিত করবে এড়ানো।
প্রক্রিয়াজাতকরণের চ্যালেঞ্জ এবং উচ্চ মূলধনের বিনিয়োগ সত্ত্বেও এইচজেটি এখনও একটি আকর্ষণীয় প্রযুক্তি। এই প্রযুক্তিটি টপকন, পিইআরটি এবং পিইআরসি প্রযুক্তিগুলির দ্বারা দেখানো ~ 22% এর তুলনায় [জিজি] জিটি; ২৩% সৌর কোষ দক্ষতা অর্জনের সক্ষমতা প্রদর্শন করে।
