সৌর কোষ

সিলিকন হেটেরোজাংশন টেকনোলজি (HJT) একটি ইমিটার এবং ব্যাক সারফেস ফিল্ড (BSF) এর উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হয় যা খুব ভালভাবে পরিষ্কার করা একরঙা সিলিকন ওয়েফারের উভয় পাশে নিরাকার সিলিকনের অতি-পাতলা

প্রযুক্তিগত তথ্য

নিম্ন LIDSSuperior অ্যান্টি-পিআইডি পারফরম্যান্স নিম্ন সেল টু মডিউল (CTM) ক্ষতির হার, উচ্চ-দক্ষতা মডিউলের জন্য আরও উপযুক্ত আপেক্ষিক রূপান্তর দক্ষতা কম আলোতে 92% এর চেয়ে বেশি বা সমান (200W/m²) সামনের

210mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) সোলার সেল হল 24.4 শতাংশ দক্ষতা এবং 10.76Watt প্রতি সেলের রেট করা শক্তি।

সিলিকন হেটেরোজংশন টেকনোলজি (HJT) একটি ইমিটার এবং ব্যাক সারফেস ফিল্ড (BSF) এর উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হয় যা খুব ভালভাবে পরিষ্কার করা একরঙা সিলিকন ওয়েফারের উভয় পাশে নিরাকার সিলিকনের অতি-পাতলা স্তরের

TOPCON (টানেল অক্সাইড প্যাসিভেটেড কন্টাক্ট) প্রযুক্তি 25 শতাংশ পর্যন্ত এন টাইপ সোলার সেলের দক্ষতা বাড়ায়। ইন্ডাস্ট্রিয়াল 210 মিমি টপকন সোলার সেল সর্বাধিক 24.4 শতাংশ দক্ষতা এবং 10.76 ওয়াট রেট

23% দক্ষতা 210 মিমি সোলার সেল 10.14 ওয়াট রেট পাওয়ারের সাথে ।132pcs অর্ধ-কাটা 210 মিমি মোনো পিইআরসি সৌর কোষ 670 ওয়াট পর্যন্ত শক্তি সহ সৌর প্যানেল সমাবেশ করতে পারে।

PERC প্রযুক্তির সাথে মিলিত লেজার SE 182 মিমি সৌর কোষ রেট পাওয়ার 7.58W পর্যন্ত 23% দক্ষতা তৈরি করে। হাই পাওয়ার সোলার প্যানেল সৌর পিভি সিস্টেমের BOS খরচ কমাতে সাহায্য করে।

টপকন (টানেল অক্সাইড প্যাসিভেটেড কন্টাক্ট) প্রযুক্তি এন টাইপ সৌর কোষের কার্যক্ষমতা বাড়ায় 24.5% পর্যন্ত। মনোফেসিয়াল সোলার প্যানেলের তুলনায় বেশি শক্তি।

PERT প্রযুক্তি থেকে উন্নত, TOPCON (টানেল অক্সাইড প্যাসিভেটেড কন্টাক্ট) প্রযুক্তি AlOx/ SiNx প্যাসিভেশন লেয়ারের সাথে মিলিয়ে N টাইপ 166 মিমি সৌর কোষের দক্ষতা 24.4% পর্যন্ত বৃদ্ধি করে।

এন-টাইপ মনো বিফেসিয়াল পার্ট (প্যাসিভেটেড ইমিটার রিয়ার পুরোপুরি বিচ্ছুরিত) সিলিকন সৌর কোষগুলি উচ্চ এবং স্থিতিশীল রূপান্তর কার্যকারিতা ধারণ করে n এবং অভিন্নতা, একটি একক তাপ অ্যানিয়াল, ইন্টিগ্রেটেড

এন-টাইপ মনো বাইফেসিয়াল পার্ট (প্যাসিভেটেড ইমিটার রিয়ার পুরোপুরি বিচ্ছুরিত) সিলিকন সৌর কোষগুলি উচ্চ এবং স্থিতিশীল রূপান্তর কার্যকারিতা ধারণ করে N এন-টাইপ সিলিকন সৌর কোষগুলি পরবর্তী প্রজন্মের জন্য