থেকে: www.onlinelibrary.wiley.com
1। পরিচিতি
জানুয়ারী 1993 সাল থেকে, " প্রোভেস ইন ইন ফোটোভোলটাইকস " ছয় মাসিক তালিকায় প্রকাশিত হয়েছে যা ফোটোভোলটাইক সেল এবং মডিউল প্রযুক্তির একটি পরিসরের জন্য সর্বাধিক নিশ্চিত দক্ষতাগুলির তালিকা প্রকাশ করেছে। 1 - 3 এই সারণিতে ফলাফল অন্তর্ভুক্ত করার জন্য নির্দেশাবলী সরবরাহ করে, এটি কেবলমাত্র বর্তমানের অত্যাধুনিক শিল্পের একটি আনুষ্ঠানিক সারসংক্ষেপ সরবরাহ করে না তবে গবেষকদের ফলাফলগুলির স্বাধীন নিশ্চিতকরণ এবং মানসম্মত ভিত্তিতে ফলাফলের প্রতিবেদন করার জন্য উত্সাহ দেয়। এই টেবিলের সংস্করণ 33 এ, 3 টি ফলাফল নতুন আন্তর্জাতিকভাবে গৃহীত রেফারেন্স বর্ণালী (ইন্টারন্যাশনাল ইলেক্ট্রোটেকনিকাল কমিশন আইইসি 60904-3, এড। ২, ২008) এ আপডেট করা হয়েছে।
টেবিলে ফলাফল অন্তর্ভুক্ত করার জন্য সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ মানদণ্ডটি যে তারা অন্যত্র তালিকাভুক্ত একটি স্বীকৃত পরীক্ষার কেন্দ্র দ্বারা স্বাধীনভাবে পরিমাপ করা হয়েছে। 2 সেল এলাকার তিনটি ভিন্ন যোগ্য সংজ্ঞাগুলির মধ্যে একটি পার্থক্য তৈরি করা হয়েছে: মোট এলাকা, অ্যাপারচার এলাকা, এবং মনোনীত আলোকসজ্জা এলাকা, পাশাপাশি অন্য কোথাও সংজ্ঞায়িত 2 (উল্লেখ্য, মাস্কিং ব্যবহার করা হলে, মাস্কগুলির অবশ্যই একটি সাধারণ অ্যাপারচার জ্যামিতি থাকতে হবে যেমন বর্গক্ষেত্র , আয়তক্ষেত্রাকার, বা বৃত্তাকার)। "সক্রিয় এলাকা" দক্ষতা অন্তর্ভুক্ত করা হয় না। বিভিন্ন ডিভাইসের বিভিন্ন ধরণের (একটি ঘনকরেখা কোষের জন্য 0.05 সেমি 2 উপরে, এক সূর্যের কোষের জন্য 1 সেন্টিমিটার 2 , একটি মডিউল জন্য 800 সেমি 2 এবং একটি "জমা" এর জন্য 200 সেমি 2 এর জন্য নির্দিষ্ট এলাকার নির্দিষ্ট ন্যূনতম মান রয়েছে। )।
বিভিন্ন সেমিকন্ডাক্টর থেকে তৈরি এবং প্রতিটি সেমিকন্ডাক্টর গ্রুপিং (যেমন, স্ফটিক, পলিক্রিস্টালাইন এবং পাতলা চলচ্চিত্র) -এর উপ-বিভাগগুলির জন্য ফলাফলগুলি রিপোর্ট করা হয়। সংস্করণ 36 এর পরে, বর্ণগত প্রতিক্রিয়া তথ্য বাইরের কোয়ান্টাম দক্ষতা (EQE) বনাম তরঙ্গদৈর্ঘ্যের বনাম আকারে (যখন সম্ভব) অন্তর্ভুক্ত হয়, হয় পরম মান হিসাবে বা শীর্ষ পরিমাপ মানের থেকে স্বাভাবিকভাবে। কারেন্ট-ভোল্টেজ (IV) রেখাচিত্রগুলি 38 সংস্করণ থেকে পরবর্তীতে সম্ভব অন্তর্ভুক্ত করা হয়েছে। প্রথম 25 বছরে অগ্রগতির একটি গ্রাফিক্যাল সারাংশ যা টেবিল প্রকাশিত হয়েছে তার সংস্করণ 51 অন্তর্ভুক্ত করা হয়েছে। 2
সর্বোচ্চ নিশ্চিত "এক সূর্য" সেল এবং মডিউল ফলাফল টেবিল 1-4 রিপোর্ট করা হয়। পূর্ববর্তী প্রকাশিত 1 থেকে টেবিলের যে কোনও পরিবর্তনগুলি গাঢ় ধরনের সেট করা হয়। বেশিরভাগ ক্ষেত্রে, একটি সাহিত্য রেফারেন্স সরবরাহ করা হয় যা ফলাফলের রিপোর্ট বা একই ফলাফলের বর্ণনা দেয় (পাঠকেরা উন্নত রেফারেন্স সনাক্তকারী প্রধান লেখকের কাছে জমা দেওয়ার জন্য স্বাগত জানাই)। সারণি 1 "এক-সূর্য" (অ-সংবেদক) একক-জাংশন কোষ এবং জমাটবদ্ধের জন্য সর্বাধিক-পরিমাপ পরিমাপকে সারসংক্ষেপ করে।
সারণী 1. বিশ্বব্যাপী AM1.5 বর্ণমালার (1000 ওয়াট / মি 2 ) 25 সেন্টিমিটার (আইইসি 60904-3: 2008, এএসটিএম জি-173-03 বিশ্বব্যাপী) অনুযায়ী মাপা একক জংশন টেরেস্ট্রিয়াল সেল এবং সাবডোমেল কার্যকারিতা নিশ্চিত করেছে। | শ্রেণীবিন্যাস | দক্ষতা, % | এলাকা, সেমি 2 | ভি ওসি , ভি | জে এস , এমএ / সেমি 2 | গুণক পরিপূর্ণ করা, % | টেস্ট সেন্টার (তারিখ) | বিবরণ |
|---|
| সিলিকোন |
| Si (স্ফটিক কোষ) | 26.7 ± 0.5 | 79.0 (ড) | 0,738 | 42.65 এ | 84.9 | এআইএসটি (3/17) | কানেকা, এন-টাইপ রিয়ার আইবিসি 4 |
| সি (মাল্টিক্রাইস্ট্লাইন সেল) | 22.3 ± 0.4 বি | 3.923 (এপি) | 0,6742 | 41.08 গ | 80,5 | FHG-ISE (8/17) | FHG-ISE, এন-টাইপ 5 |
| Si (পাতলা স্থানান্তর জমা) | 21.2 ± 0.4 | 239.7 (এপি) | 0.687 ডি | 38.50 ডি , ই | 80,3 | NREL (4/14) | সোলেক্সেল (35 μm পুরু) 6 |
| Si (পাতলা ফিল্ম মিনিমুলুল) | 10.5 ± 0.3 | 94.0 (এপি) | 0.49২ ডি | ২9.7 ডি , এফ | 72,1 | FHG-ISE (8/07) | সিএসজি সৌর (গ্লাসে <2 μm)="">7 |
| III-V কোষ |
| GaAs (পাতলা ফিল্ম সেল) | ২9.1 ± 0.6 | 0.998 (এপি) | 1,1272 | ২9.78 গ্রাম | 86,7 | FHG-ISE (10/18) | আলতা ডিভাইস 8 |
| GaAs (multicrystalline) | 18.4 ± 0.5 | 4.011 (টি) | 0,994 | 23.2 | 79,7 | এনআরএলএল (11/95) | আরটিআই, জিই সাবস্ট্রট 9 |
| ইনপুট (স্ফটিক কোষ) | 24.2 ± 0.5 বি | 1.008 (এপি) | 0,939 | 31.15 এ | 82,6 | NREL (3/13) | NREL 10 |
| পাতলা ফিল্ম Chalcogenide |
| সিআইজিএস (সেল) | 22.9 ± 0.5 | 1.041 (ড) | 0,744 | 38.77 ঘ | 79.5 | এআইএসটি (11/17) | সৌর ফ্রন্টিয়ার 11 , 1২ |
| সিডিটি (সেল) | 21.0 ± 0.4 | 1.0623 (এপি) | 0,8759 | 30.25 ই | 79.4 | নিউপোর্ট (8/14) | প্রথম সৌর, গ্লাস 13 |
| CZTSSe (সেল) | 11.3 ± 0.3 | 1.1761 (দ) | 0,5333 | 33.57 গ্রাম | 63,0 | নিউপোর্ট (10/18) | ডিজিআইএসটি, কোরিয়া 14 |
| CZTS (সেল) | 10.0 ± 0.2 | 1.113 (দ) | 0,7083 | 21.77 এ | 65,1 | NREL (3/17) | ইউএনএসডব্লিউ 15 |
| নিরাকার / microcrystalline |
| Si (অমর কোষ) | 10.2 ± 0.3 আমি, খ | 1.001 (ড) | 0,896 | 16.36 ই | 69,8 | এআইএসটি (7/14) | এআইএসটি 16 |
| Si (microcrystalline কোষ) | 11.9 ± 0.3 বি | 1.044 (ড) | 0,550 | ২9.72 ক | 75,0 | এআইএসটি (২/17) | এআইএসটি 16 |
| Perovskite |
| পেরোভস্কাইট (সেল) | ২0.9 ± 0.7 আমি , জ | 0.991 (ড) | 1,125 | ২4.9২ গ | 74,5 | নিউপোর্ট (7/17) | কেআরআইসিটি 17 |
| পেরোভস্কাইট (ক্ষুদ্রতম) | 17.25 ± 0.6 জে, এল | 17.277 (দ) | 1.070 ডি | 20.66 ডি , এইচ | 78.1 | নিউপোর্ট (5/18) | Microquanta, 7 সিরিয়াল কোষ 18 |
| পেরোভস্কাইট (জমা) | 11.7 ± 0.4 আমি | 703 (দ) | 1.073 ডি | 14.36 ডি , এইচ | 75.8 | এআইএসটি (3/18) | তোশিবা, 44 সিরিয়াল কোষ 19 |
| ডাই সংবেদনশীল |
| ডাই (সেল) | 11.9 ± 0.4 জে , কে | 1.005 (দ) | 0,744 | 22.47 এন | 71.2 | এআইএসটি (9/12) | Sharp 20 |
| ডাই (ক্ষুদ্রতম) | 10.7 ± 0.4 জে , এল | 26.55 (দ) | 0.754 ডি | 20.19 ডি , ও | 69,9 | এআইএসটি (২/15) | শার্প, 7 সিরিয়াল কোষ 21 |
| ডাই (জমা) | 8.8 ± 0.3 জ | 398.8 (দ) | 0.697 ডি | 18.4২ ডি , পি | 68,7 | এআইএসটি (9/12) | Sharp, 26 সিরিয়াল কোষ 22 |
| জৈব |
| জৈব (কোষ) | 11.2 ± 0.3 q | 0.992 (দ) | 0,780 | 19.30 ই | 74,2 | এআইএসটি (10/15) | তোশিবা ২3 |
| জৈব (ক্ষুদ্রতর) | 9.7 ± 0.3 q | 26.14 (দ) | 0.806 ডি | 16.47 ডি, ও | 73,2 | এআইএসটি (২/15) | তোশিবা (8 সিরিজ কোষ) ২3 |
সংক্ষেপে: এআইএসটি, জাপানি ন্যাশনাল ইনস্টিটিউট অফ অ্যাডভান্সড ইন্ডাস্ট্রিয়াল সায়েন্স অ্যান্ড টেকনোলজি (এপি), অ্যাপারচার এলাকা; একটি-সি, অমর সিলিকন / হাইড্রোজেন খাদ; CIGS, CuIn 1-y Ga y Se 2 ; CZTS, CU 2 ZnSnS 4 ; CZTSSe, CU 2 ZnSnS 4-y Se Y ; (ড), মনোনীত আলোকিত এলাকা; FHG-ISE, Fraunhofer ইনস্টিটিউট জন্য সোলার Energiesysteme; এনসি-সি, ন্যানোোক্রিস্টালাইন বা মাইক্রোক্রিস্টালাইন সিলিকন; (টি), মোট এলাকা।
এই টেবিলের সংস্করণ 50 এ বর্ণিত একটি বর্ণালী প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান-ভোল্টেজের বক্ররেখা।
খ বাহ্যিক পরীক্ষাগারে পরিমাপ করা হয় না।
সি স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা 51 এই টেবিলের সংস্করণে রিপোর্ট।
ডি "প্রতি সেল" ভিত্তিতে রিপোর্ট।
ই স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান-ভোল্টেজ বক্ররেখা 45 এই টেবিলের সংস্করণে রিপোর্ট।
f মূল পরিমাপ থেকে পুনর্নির্মিত।
জি স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের বর্তমান সংস্করণে রিপোর্ট।
এইচ স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের ভার্সন 52।
আমি 50-এ 1 সূর্যের আলোতে 1000-ঘন্টা এক্সপোজার দ্বারা স্থিতিশীল।
জে প্রাথমিক কর্মক্ষমতা। রেফারেন্স 67 , 68 অনুরূপ ডিভাইসের স্থিতিশীলতা পর্যালোচনা।
k 150 এমভি / গুলি (hysteresis ± 0.26%) এ এগিয়ে এবং বিপরীত sweeps গড়।
0.05% স্তরে ধ্রুবক তথ্য পর্যন্ত ধ্রুব পক্ষপাতের সাথে 13 বিন্দু চতুর্থাংশ ব্যবহার করে পরিমাপ করা হয়েছে।
মি প্রাথমিক দক্ষতা। রেফারেন্স 71 অনুরূপ ডিভাইসের স্থিতিশীলতা পর্যালোচনা।
এন স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা 41 এই টেবিলের সংস্করণে রিপোর্ট।
o এই টেবিলের সংস্করণ 46 এ বর্ণিত বর্ণালী প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান-ভোল্টেজের বক্ররেখা।
পি স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা 43 এই টেবিলের মধ্যে রিপোর্ট।
q প্রাথমিক কর্মক্ষমতা। রেফারেন্স 69 , 70 অনুরূপ ডিভাইসের স্থিতিশীলতা পর্যালোচনা।
সারণী 2. একক-জাংশন কোষ এবং জমাটবদ্ধগুলির জন্য "উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রমসমূহ": "শীর্ষ ডজন" নিশ্চিত ফলাফল, ক্লাসের রেকর্ড নয়, বিশ্বব্যাপী AM1.5 বর্ণমালার (1000 WM- 2 ) ২5 ডিগ্রি সেলসিয়াসে পরিমাপ করা হয় (আইইসি 60904-3: ২008, এএসটিএম জি-173-03 বিশ্বব্যাপী) | শ্রেণীবিন্যাস | দক্ষতা, % | এলাকা, সেমি 2 | ভি ওসি , ভি | জে এস , এমএ / সেমি 2 | গুণক পরিপূর্ণ করা, % | টেস্ট সেন্টার (তারিখ) | বিবরণ |
|---|
| কোষ (সিলিকন) |
| Si (স্ফটিক) | 25.0 ± 0.5 | 4.00 (দ) | 0,706 | 42.7 একটি | 82,8 | স্যান্ডিয়া (3/99) খ | UNSW পি-টাইপ PERC শীর্ষ / পিছন যোগাযোগ 24 |
| Si (স্ফটিক) | 25.8 ± 0.5 গ | 4.008 (দ) | 0,7241 | 42.87 ডি | 83,1 | FHG-ISE (7/17) | FHG-ISE, এন-টাইপ শীর্ষ / পিছন যোগাযোগ 25 |
| Si (স্ফটিক) | 26.1 ± 0.3 গ | 3.9857 (দ) | 0,7266 | 42.62 ই | 84,3 | আইএসএফএইচ (২/18) | আইএসএফএইচ, পি-টাইপ রিয়ার আইবিসি ২6 |
| সি (বড়) | 26.6 ± 0.5 | 179.74 (দ) | 0,7403 | 42.5 ফল | 84,7 | FHG-ISE (11/16) | কানেকা, এন-টাইপ রিয়ার আইবিসি 4 |
| Si (multicrystalline) | 22.0 ± 0.4 | 245.83 (টি) | 0,6717 | 40.55 ডি | 80,9 | FHG-ISE (9/17) | জিনকো সৌর, বড় পি-টাইপ 27 |
| কোষ (III-V) |
| GaInP | 21.4 ± 0.3 | 0.2504 (এপি) | 1,4932 | 16.31 গ্রাম | 87,7 | NREL (9/16) | এলজি ইলেকট্রনিক্স, উচ্চ ব্যান্ডগাপ 28 |
| GaInAsP / GaInAs | 32.6 ± 1.4 গ | 0.248 (এপি) | 2,024 | 19.51 ডি | 82,5 | এনআরএলএল (10/17) | এনআরইএল, মনোলিথিক ট্যান্ডেম ২9 |
| কোষ (chalcogenide) |
| সিডিটি (পাতলা ফিল্ম) | 22.1 ± 0.5 | 0.4798 (ড) | 0,8872 | 31.69 ঘ | 78,5 | নিউপোর্ট (11/15) | গ্লাস 30 প্রথম সৌর |
| CZTSSe (পাতলা ফিল্ম) | 12.6 ± 0.3 | 0.4209 (এপি) | 0,5134 | 35.21 আমি | 69,8 | নিউপোর্ট (7/13) | আইবিএম সমাধান বেড়েছে 31 |
| CZTSSe (পাতলা ফিল্ম) | 12.6 ± 0.3 | 0.4804 (দ) | 0,5411 | 35,39 | 65,9 | নিউপোর্ট (10/18) | ডিজিআইএসটি, কোরিয়া 14 |
| CZTS (পাতলা ফিল্ম) | 11.0 ± 0.2 | 0.2339 (ডিএ) | 0,7306 | ২1.74 মি | 69,3 | NREL (3/17) | গ্লাসে ইউএনএসডব্লিউ 32 |
| কোষ (অন্যান্য) |
| পেরোভস্কাইট (পাতলা ফিল্ম) | 23.7 ± 0.8 জে , কে | 0.0739 (এপি) | 1,1697 | ২5.40 লক্ষ | 79.8 | নিউপোর্ট (9/18) | আইএসসএএস, বেইজিং 33 |
| জৈব (পাতলা ফিল্ম) | 15.6 ± 0.2 মি | 0.4113 (দ) | 0,8381 | ২5.03 লি | 74,5 | এনআরএলএল (11/18) | সেন্ট চীন ইউ। - সেন্ট্রাল স্টহ ইউ। 34 |
সংক্ষেপে: এআইএসটি, জাপানি ন্যাশনাল ইনস্টিটিউট অফ অ্যাডভান্সড ইন্ডাস্ট্রিয়াল সায়েন্স অ্যান্ড টেকনোলজি (এপি), অ্যাপারচার এলাকা; CIGSSe, CUInGaSSe; CZTS, CU 2 ZnSnS 4 ; CZTSSe, CU 2 ZnSnS 4-y Se Y ; (ড), মনোনীত আলোকিত এলাকা; FHG-ISE, Fraunhofer-Institut ফার সোলার Energiesysteme; আইএসএফএইচ, সৌর শক্তি গবেষণা ইনস্টিটিউট, হামেলিন; এনআরইএল, জাতীয় পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি পরীক্ষাগার; (টি), মোট এলাকা।
এই টেবিলের সংস্করণ 36 এ বর্ণিত একটি বর্ণালী প্রতিক্রিয়া।
খ মূল পরিমাপ থেকে পুনর্বিবেচনা।
গ একটি বাহ্যিক পরীক্ষাগারে পরিমাপ করা হয় না।
ডি স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ curves এই টেবিল এর সংস্করণ 51 সালে রিপোর্ট।
ই স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের ভার্সন 52 তে রিপোর্ট করা হয়েছে।
f স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান-ভোল্টেজ curves এই টেবিলের সংস্করণ 50 সালে রিপোর্ট।
জি স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ curves এই টেবিল এর সংস্করণ 49 সালে রিপোর্ট।
এইচ স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং / অথবা এই সারণির সংস্করণ 46 সালে রিপোর্ট বর্তমান ভোল্টেজ curves।
আমি এই টেবিলের সংস্করণ 44 এ বর্ণিত স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান-ভোল্টেজ curves।
জে স্থিতিশীলতা তদন্ত না। রেফারেন্স 69 , 70 অনুরূপ ডিভাইসের নথি স্থায়িত্ব।
K অপরিবর্তিত হিসাবে বর্তমান নির্ধারিত পর্যন্ত ধ্রুবক ভোল্টেজ পক্ষপাত সঙ্গে 13 পয়েন্ট চতুর্থ সুইম ব্যবহার করে পরিমাপ।
এল স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের বর্তমান সংস্করণে রিপোর্ট।
মি দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতা তদন্ত না। রেফারেন্স 69 , 70 অনুরূপ ডিভাইসের নথি স্থায়িত্ব।
টেবিল 3. বিশ্বব্যাপী AM1.5 স্পেকট্রাম (1000 ওয়াট / মি 2 ) 25 সেন্টিমিটারে (আইইসি 60904-3: 2008, এএসটিএম জি-173-03 গ্লোবাল) বিশ্বব্যাপী মাপা একাধিক-জয়েন্ট টেরেস্ট্রিয়াল সেল এবং সাবমিডেল দক্ষতা নিশ্চিত করেছে। | শ্রেণীবিন্যাস | দক্ষতা, % | এলাকা, সেমি 2 | Voc, ভি | জেএসসি, এমএ / সেমি 2 | গুণক পরিপূর্ণ করা, % | টেস্ট সেন্টার (তারিখ) | বিবরণ |
|---|
| তৃতীয়-ভি multijunctions |
| 5 জংশন সেল (বন্ডেড) | 38.8 ± 1.2 | 1.021 (এপি) | 4,767 | 9,564 | 85,2 | এনআরএলএল (7/13) | স্পেকট্রোলব, ২ টার্মিনাল 35 |
| (2.17 / 1.68 / 1.40 / 1.06 / 0.73 ইভি) |
| InGaP / GaAs / InGaAs | 37.9 ± 1.2 | 1.047 (এপি) | 3,065 | 14.27 এ | 86,7 | এআইএসটি (২/13) | শার্প, 2 শব্দ। 36 |
| GaInP / GaAs (monolithic) | 32.8 ± 1.4 | 1.000 (এপি) | 2,568 | 14.56 খ | 87,7 | NREL (9/17) | এলজি ইলেকট্রনিক্স, 2 শব্দ। |
| সি-সি সঙ্গে Multijunctions |
| GaInP / GaAs / Si (মেচ। স্ট্যাক) | 35.9 ± 0.5 গ | 1.002 (দ) | 2.52 / 0.681 | 13.6 / 11.0 | 87.5 / 78.5 | এনআরএলএল (২/17) | এনআরইএল / সিএসইএম / ইপিএফএল, 4-মেয়াদ। 37 |
| GaInP / GaAs / Si (ওয়েফার বন্ড) | 33.3 ± 1.2 গ | 3.984 (এপি) | 3.127 খ | 1২.7 বি | 83,5 | FHG-ISE (8/17) | ফ্রনহফার আই এস ই, 2-টার্ম। 38 |
| GaInP / GaAs / Si (monolithic) | 22.3 ± 0.8 গ | 0.994 (এপি) | 2,619 | 10.0 ডি | 85,0 | FHG-ISE ( 10/18 ) | ফ্রনহফার আই এস ই, 2-টার্ম। 39 |
| GaAsP / Si (একত্রীকরণ) | 20.1 ± 1.3 | 3.940 (এপি) | 1,673 | 14.9 4 ই | 80,3 | এনআরএলএল (5/18) | OSU / SolAero / UNSW, 2-টার্ম। |
| GaAs / Si (মেচ। স্ট্যাক) | 32.8 ± 0.5 গ | 1.003 (দ) | 1.09 / 0.683 | ২8.9 / 11.1 ই | 85.0 / 79.2 | NREL (12/16) | এনআরইএল / সিএসইএম / ইপিএফএল, 4-মেয়াদ। 37 |
| পেরোভস্কাইট / সি (একক) | ২7.3 ± 0.8 মি | 1.090 (ড) | 1,813 | 19.99 ডি | 75.4 | FHG-ISE (6/18) | অক্সফোর্ড পিভি 40 |
| GaInP / GaInAs / জিই, সি (বর্ণালী বিভক্ত মিনিমুলুল) | 34.5 ± 2.0 | 27.83 (এপি) | 2.66 / 0.65 | 13.1 / 9.3 | 85.6 / 79.0 | NREL (4/16) | ইউএনএসডব্লিউ / আজুর / ট্রিনা, 4-মেয়াদ। 41 |
| একটি-সি / এনসি-সি multijunctions |
| একটি-সি / এনসি-সি / এনসি-সি (পাতলা ফিল্ম) | 14.0 ± 0.4 গ্রাম , গ | 1.045 (ড) | 1,922 | 9.9 4 ঘ | 73,4 | এআইএসটি (5/16) | এআইএসটি, 2-মেয়াদী। 42 |
| একটি-সি / এনসি-সি (পাতলা ফিল্ম সেল) | 12.7 ± 0.4 গ্রাম , গ | 1.000 (ডিএ) | 1,342 | 13.45 আমি | 70,2 | এআইএসটি (10/14) | এআইএসটি, 2-মেয়াদী। 16 |
| উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রম |
| পেরোভস্কাইট / সিআইজিএস জে | 22.4 ± 1.9 চ | 0.042 (দ) | 1,774 | 17.3 গ্রাম | 73,1 | এনআরএলএল (11/17) | ইউসিএলএ, 2-মেয়াদী। 43 |
| GaInP / GaAs / GaInAs | 37.8 ± 1.4 | 0.998 (এপি) | 3,013 | 14.60 ডি | 85,8 | NREL (1/18) | Microlink (ELO) 44 |
সংক্ষেপে: এআইএসটি, জাপানি ন্যাশনাল ইনস্টিটিউট অফ অ্যাডভান্সড ইন্ডাস্ট্রিয়াল সায়েন্স অ্যান্ড টেকনোলজি (এপি), অ্যাপারচার এলাকা; একটি-সি, অমর সিলিকন / হাইড্রোজেন খাদ; (ড), মনোনীত আলোকিত এলাকা; FHG-ISE, Fraunhofer ইনস্টিটিউট জন্য সোলার Energiesysteme; এনসি-সি, ন্যানোোক্রিস্টালাইন বা মাইক্রোক্রিস্টালাইন সিলিকন; (টি), মোট এলাকা।
এই টেবিলের সংস্করণ 42 এ বর্ণিত একটি বর্ণালী প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান-ভোল্টেজের বক্ররেখা।
বি বর্ণালী প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের সংস্করণ 51 এ রিপোর্ট।
গ একটি বাহ্যিক পরীক্ষাগারে পরিমাপ করা হয় না।
ডি স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের বর্তমান সংস্করণে রিপোর্ট।
ই স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজের বক্ররেখা 50 টি বা এই টেবিলের 52 সংস্করণে রিপোর্ট করা হয়েছে।
চ প্রাথমিক দক্ষতা। রেফারেন্স 67 , 68 অনুরূপ perovskite- ভিত্তিক ডিভাইস স্থিতিশীলতার পর্যালোচনা।
1000 সেন্টিমিটারে 1-র সূর্যের আলোতে 1000-এইচ এক্সপোজার দ্বারা স্থিতিশীল।
এইচ স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের সংস্করণ 49 সালে রিপোর্ট।
আমি এই টেবিলের সংস্করণ 45 এ বর্ণিত স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান-ভোল্টেজের বক্ররেখা।
জ । সীমার রেকর্ড হিসাবে যোগ্যতা অর্জনের ক্ষেত্রে খুব ছোট।
টেবিল 4. বিশ্বস্ত AM1.5 বর্ণালী (1000 ওয়াট / মি 2 ) এর অধীনে 25 ° C (আইইসি 60904-3: 2008, এএসটিএম জি-173-03 বিশ্বব্যাপী) | শ্রেণীবিন্যাস | কার্যকরী।% | এলাকা, সেমি 2 | ভি ওসি , ভি | আমি স্ক , এ | FF,% | টেস্ট সেন্টার (তারিখ) | বিবরণ |
|---|
| Si (স্ফটিক) | 24.4 ± 0.5 | 13177 (ড) | 79.5 | 5.04 একটি | 80,1 | এআইএসটি (9/16) | কানেকা (108 টি কোষ) 4 |
| Si (multicrystalline) | 19.9 ± 0.4 | 15143 (এপি) | 78,87 | 4.795 এ | 79.5 | FHG-ISE (10/16) | Trina সৌর (120 কোষ) 45 |
| GaAs (পাতলা ফিল্ম) | 25.1 ± 0.8 | 866.45 (এপি) | 11,08 | 2.303 খ | 85.3 | এনআরএলএল (11/17) | আলতা ডিভাইস 46 |
| সিআইজিএস (সিডি ফ্রি) | 19.2 ± 0.5 | 841 (এপি) | 48,0 | 0.456 খ | 73,7 | এআইএসটি (1/17) | সৌর সীমান্ত (70 টি কোষ) 47 |
| সিডিটি (পাতলা ফিল্ম) | 18.6 ± 0.5 | 7038.8 (দ) | 110.6 | 1.533 ডি | 74,2 | এনআরএলএল (4/15) | প্রথম সৌর, একক 48 |
| একটি-সি / এনসি-সি (ট্যান্ডেম) | 1২.3 ± 0.3 মি | 1432২ (টি) | 280,1 | 0.902 চ | 69,9 | ESTI (9/14) | TEL সৌর, Trubbach ল্যাব 49 |
| Perovskite | 11.6 ± 0.4 গ্রাম | 802 (দ) | 23,79 | 0.577 ঘ | 68,0 | এআইএসটি (4/18) | তোশিবা (২২ টি কোষ) 19 |
| জৈব | 8.7 ± 0.3 গ্রাম | 802 (দ) | 17,47 | 0.569 ডি | 70,4 | এআইএসটি (5/14) | তোশিবা ২3 |
| Multijunction |
| InGaP / GaAs / InGaAs | 31.2 ± 1.2 | 968 (ড) | 23,95 | 1,506 | 83.6 | এআইএসটি (২/16) | শার্প (32 টি সেলস) 50 |
| উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রম |
| সিআইজিএস (বড়) | 15.7 ± 0.5 | 9703 (এপি) | 28,24 | 7.254 আমি | 72,5 | এনআরএলএল (11/10) | Miasole 51 |
সংক্ষেপে: (এপি), অ্যাপারচার এলাকা; একটি-সি, অমর সিলিকন / হাইড্রোজেন খাদ; A-SiGe, অরবিন্দু সিলিকন / জার্মানী / হাইড্রোজেন খাদ; CIGSS, CUInGaSSe; (ড), মনোনীত আলোকিত এলাকা; দক্ষতা, দক্ষতা; FF, ফ্যাক্টর পূরণ করুন; এনসি-সি, ন্যানোোক্রিস্টালাইন বা মাইক্রোক্রিস্টালাইন সিলিকন; (টি), মোট এলাকা।
এই টেবিলের সংস্করণ 49 এ বর্ণিত একটি বর্ণালী প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা।
B বর্ণালী প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান-ভোল্টেজের বক্ররেখা 50 টি বা এই টেবিলের 50 টি সংস্করণে প্রতিবেদন করা হয়েছে।
সি বর্ণালী প্রতিক্রিয়া এবং / অথবা এই সারণির সংস্করণ 47 সালে রিপোর্ট বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা।
ডি স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের সংস্করণ 45 মধ্যে রিপোর্ট।
ই পুনরাবৃত্তি পরিমাপের আইইসি পদ্ধতি অনুসরণ করে 2% স্তরের নির্মাতার স্থিতিশীল।
F স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং / অথবা এই সারণির সংস্করণ 46 এ উল্লিখিত বর্তমান-ভোল্টেজের বক্ররেখা।
জি প্রাথমিক কর্মক্ষমতা। রেফারেন্স 67 , 70 অনুরূপ ডিভাইসের স্থিতিশীলতা পর্যালোচনা।
এইচ স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের বর্তমান সংস্করণে রিপোর্ট।
আমি এই টেবিলের সংস্করণ 37 এ বর্ণিত স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া।
সারণী 2 টিতে "এক-সূর্য" একক-জাঙ্কেশন কোষ এবং উপরের বিভাগে জমা দেওয়ার জন্য "উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রম" হিসাবে বর্ণনা করা যেতে পারে। ক্লাস রেকর্ড হিসাবে স্বীকৃত হওয়ার প্রয়োজনীয়তাগুলি মেনে চলার সময়, টেবিল 2- এর ডিভাইসগুলির মধ্যে উল্লেখযোগ্য বৈশিষ্ট্যগুলি রয়েছে যা ফটোভোল্টিক সম্প্রদায়ের বিভাগগুলিতে আগ্রহের সাথে থাকবে, তাদের তাত্পর্য এবং সময়কালের ভিত্তিতে এন্ট্রিগুলির সাথে। বৈষম্যকে উত্সাহিত করার জন্য, বর্তমান লেখক অন্তর্ভুক্তির জন্য তাদের পছন্দগুলির জন্য ভোট দেওয়ার সাথে সাথে টেবিলের 1২ টি প্রবেশপথ সীমাবদ্ধ। এই বা পরবর্তী টেবিলে অন্তর্ভুক্ত করার জন্য উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রমগুলির পরামর্শকারী পাঠকেরা সম্পূর্ণ বিশদ সহ লেখকদের সাথে যোগাযোগ করতে স্বাগত জানাই। নির্দেশিকাগুলির সাথে সঙ্গতিপূর্ণ প্রস্তাবগুলি ভবিষ্যতের সমস্যার জন্য ভোট তালিকাতে অন্তর্ভুক্ত করা হবে।
টেবিল 3 প্রথমবার এই সারণির সংস্করণ 49 এ উপস্থাপিত হয়েছিল এবং উচ্চ দক্ষতা, এক সূর্য একাধিক-জাঙ্কেশন ডিভাইস (পূর্বে টেবিল 1 এ প্রকাশিত ) সহ ক্রমবর্ধমান সংখ্যক সেল এবং জমা ফলাফলের সংক্ষিপ্তসার উপস্থাপন করে। সারণী 4 একক সূর্যের মডিউলগুলির জন্য সেরা ফলাফল দেখায়, একক এবং একাধিক জংশন, যখন সারণি 5 কনস্রোটারার কোষ এবং ঘনক মডিউলগুলির জন্য সর্বোত্তম ফলাফল দেখায়। টেবিলের 3-5 তে ছোট সংখ্যক "উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রম" অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।
টেবিল 5. টেরেস্ট্রিয়াল কনস্রোটারেটর সেল এবং মডিউল দক্ষতা ASTM G-173-03 সরাসরি বিম AM1.5 স্পেকট্রামের অধীনে 25 ডিগ্রি সেলসিয়াসে মাপা যায়। | শ্রেণীবিন্যাস | কার্যকরী।% | এলাকা, সেমি 2 | তীব্রতা, সূর্য | টেস্ট সেন্টার (তারিখ) | বিবরণ |
|---|
| একক কোষ |
| GaAs | 30.5 ± 1.0 খ | 0.10043 (দ) | 258 | এনআরএলএল (10/18) | এনআরইএল, 1-জংশন |
| যদি | 27.6 ± 1.2 গ | 1.00 (দ) | 92 | FHG-ISE (11/04) | আমোনিক্স ব্যাক-যোগাযোগ 52 |
| সিআইজিএস (পাতলা ফিল্ম) | 23.3 ± 1.2 ডি , ই | 0.09902 (এপি) | 15 | NREL (3/14) | NREL 53 |
| Multijunction কোষ |
| GaInP / GaAs, GaInAsP / GaInAs | 46.0 ± 2.2 ফ | 0.0520 (দ) | 508 | এআইএসটি (10/14) | সোয়েটেক / সিইএ / এফএইচজি-আইএসই 4 জে বন্ধকী 54 |
| GaInP / GaAs / GaInAs / GaInAs | 45.7 ± 2.3 ডি , জি | 0.09709 (ড) | 234 | NREL (9/14) | এনআরইএল, 4 জি মনোলিথিক 55 |
| InGaP / GaAs / InGaAs | 44.4 ± 2.6 ঘ | 0.1652 (দ) | 302 | FHG-ISE (4/13) | Sharp, 3j বিপরীত রূপান্তর 56 |
| GaInAsP / GaInAs | 35.5 ± 1.2 আমি , ডি | 0.10031 (দ) | 38 | এনআরএলএল (10/17) | এনআরইএল 2-জংশন (2 জে) |
| Minimodule |
| GaInP / GaAs, GaInAsP / GaInAs | 43.4 ± 2.4 ডি , জে | 18.2 (এপি) | 340 কে | FHG-ISE (7/15) | ফ্রুনহফার আইএসই 4 জি (লেন্স / সেল) 57 |
| Submodule |
| GaInP / GaInAs / জিই, সি | 40.6 ± 2.0 জ | 287 (এপি) | 365 | NREL (4/16) | UNSW 4j বিভক্ত বর্ণালী 58 |
| মডিউল |
| যদি | 20.5 ± 0.8 ডি | 1875 (এপি) | 79 | স্যান্ডিয়া (4/88) এল | স্যান্ডিয়া / ইউএনএসডাব্লু / ইন্টেচ (1২ টি কোষ) 59 |
| তিন জংশন (3 জে) | 35.9 ± 1.8 মি | 1092 (এপি) | এন / এ | এনআরএলএল (8/13) | Amonix 60 |
| চার জংশন (4 জ) | 38.9 ± 2.5 এন | 812.3 (এপি) | 333 | FHG-ISE (4/15) | সোয়েটেক 61 |
| "উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রম" |
| সি (বড় এলাকা) | 21.7 ± 0.7 | ২0.0 (ড) | 11 | স্যান্ডিয়া (9/90) কে | ইউএনএসডব্লিউ লেজারে 6২ টি |
| Luminescent মিনিমুলodule | 7.1 ± 0.2 | 25 (AP) | 2.5 কে | ESTI (9/08) | ECN Petten, GAAs কোষ 63 |
| 4j মিনিমুলুল | 41.4 ± 2.6 ডি | 121.8 (এপি) | 230 | FHG-ISE (9/18) | FHG-ISE, 10 কোষ 57 |
সংক্ষেপে: (এপি), অ্যাপারচার এলাকা; সিআইজিএস, সিআইএনজিএস ২ ; (ড), মনোনীত আলোকিত এলাকা; দক্ষতা, দক্ষতা; FHG-ISE, Fraunhofer-Institut ফার সোলার Energiesysteme; এনআরইএল, জাতীয় পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি পরীক্ষাগার।
একটি এক সূর্য 1000 WM- 2 সরাসরি irradiance অনুরূপ।
বি বর্ণালী প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের বর্তমান সংস্করণে রিপোর্ট।
সি এএসটিএম জি-173-03 সরাসরি 72 অনুরূপ কম অ্যারোসল অপটিক্যাল গভীরতা বর্ণালী অধীনে পরিমাপ।
ডি বাহ্যিক পরীক্ষাগারে পরিমাপ করা হয় না।
ই স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা 44 এই টেবিলে সংস্করণে রিপোর্ট।
F স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান-ভোল্টেজের বক্ররেখা এই সারণির সংস্করণ 45 এ প্রকাশিত।
জি স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিল এর সংস্করণ 46 সালে রিপোর্ট।
এইচ স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান ভোল্টেজ বক্ররেখা এই টেবিলের সংস্করণ 42 এ রিপোর্ট।
আমি এই টেবিলের সংস্করণ 51 এ বর্ণিত স্পেকট্রাল প্রতিক্রিয়া এবং বর্তমান-ভোল্টেজ বক্ররেখা।
জে আইইসি 62670-1 সিএসটিসি রেফারেন্স শর্তাবলী নির্ধারণ।
কে জ্যামিতিক ঘনত্ব।
আমি মূল পরিমাপ থেকে পুনরায় সংকলিত।
মি বর্তমানের সৌর বর্ণালী এবং তাপমাত্রা অনুবাদের জন্য অভ্যন্তরীণ প্রক্রিয়া ব্যবহার করে 1000 ওয়াট / মি 2 সরাসরি বিক্রিয়া এবং ২5 ডিগ্রি সেলস তাপমাত্রার উল্লেখ করা হয়েছে।
এন আই ই 62670-1 এর বর্তমান রেফারেন্সের বর্তমান আইইসি পাওয়ার রেটিং ড্রাফ্ট 62670-3 এর পরিপ্রেক্ষিতে পরিমাপ করা হয়েছে।
2 নতুন ফলাফল
দশটি নতুন ফলাফল এই টেবিলের বর্তমান সংস্করণে রিপোর্ট করা হয়। সারণি 1 (এক-সূর্যের কোষ) প্রথম প্রথম ফলাফলটি কোন একক-জাঙ্কন সৌর কোষের জন্য একটি সম্পূর্ণ রেকর্ড উপস্থাপন করে। ২1.1% দক্ষতা আল্টা ডিভাইস 8 দ্বারা তৈরি 1-সেমি 2 গায়াস সেলের জন্য পরিমাপ করা হয়েছিল এবং সৌর শক্তি সিস্টেমগুলির জন্য Fraunhofer ইনস্টিটিউট (FHG-ISE) এ পরিমাপ করা হয়েছিল।
দ্বিতীয় নতুন ফলাফলটি একটি 1.2-সেমি 2 CZTSSe (Cu 2 ZnSnS x সে 4 -x) সৌর কোষের জন্য পরিমাপ করা 11.3% দক্ষতা, যা দিয়াগু গাইংবুক ইন্সটিটিউট অফ সায়েন্স অ্যান্ড টেকনোলজি (ডিজিআইএসটি), কোরিয়া 14 দ্বারা তৈরি এবং নিউপোর্ট দ্বারা পরিমাপ করা হয় পিভি ল্যাবরেটরি।
সারণি 2 (এক সূর্য "উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রম") এর তিনটি নতুন ফলাফলগুলির মধ্যে প্রথমটি একটি ছোট এলাকা CZTSSe কোষের পূর্বের রেকর্ড সমান। নিউপোর্টে 12.6% এর দক্ষতাটি আবার 0.4 ডিগ্রি সেলসিয়াসে তৈরি 0.48-সেমি 2 টি সেলের জন্যও পরিমাপ করা হয়েছিল। সেল ক্ষেত্রটি শ্রেণিকরণের রেকর্ড হিসাবে খুব কম ছোট, সরকারী গবেষণামূলক প্রোগ্রামগুলিতে সৌরশক্তি দক্ষতা লক্ষ্যমাত্রা 1 সেন্টিমিটার 2 বা তার অধিকের একটি সেল এলাকার পরিপ্রেক্ষিতে। 64 - 66
টেবিল ২ এর দ্বিতীয় নতুন ফলাফলটি পিবি-হাইডাইড পারোভস্কাইট সৌর কোষের জন্য একটি নতুন রেকর্ড উপস্থাপন করে, চীনা দক্ষতা একাডেমি অফ সায়েন্সেস ইনস্টিটিউটের ইনস্টিটিউট ফর ইনস্টিটিউট দ্বারা গঠিত একটি ছোট এলাকার 0.07-সেমি 2 টি সেলের জন্য 23.7% নিশ্চিত করার দক্ষতার সাথে (ISCAS) ), বেইজিং 33 এবং নিউপোর্টে মাপা।
পেরোভস্কাইট কোষগুলির জন্য, টেবিলগুলি এখন "কোভ্যাসি-স্ট্যাডি-স্টেট" পরিমাপের উপর ভিত্তি করে ফলাফলগুলি গ্রহণ করে (কখনও কখনও পারভস্কিট ক্ষেত্রের "স্ট্যাবলিলাইজড" বলা হয়, যদিও এটি ফোটোভোলটাইকগুলির অন্যান্য অঞ্চলে ব্যবহারের সাথে সংঘর্ষ)। অন্যান্য উঠতি প্রযুক্তির পাশাপাশি, পারভস্কাইট কোষগুলি অন্যত্র আলোচনা করা পারভস্কাইট কোষগুলির স্থিতিশীলতা সহ, প্রচলিত কোষগুলির মতো একই স্তরের স্থায়িত্ব প্রদর্শন করতে পারে না। 67 , 68
দক্ষিণ চীন বিশ্ববিদ্যালয় এবং সেন্ট্রাল সাউথ ইউনিভার্সিটি 34 দ্বারা নির্মিত গিগাবাইট সৌর কোষ 0.04-সেমি 2 জৈব সৌর কোষের একটি খুব ছোট এলাকার তৃতীয়টি "উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রম" 13.3% এবং জাতীয় পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি পরীক্ষাগার (NREL) -এ পরিমাপ করা হয়। জৈব সৌর কোষগুলির স্থিতিশীলতা অন্য কোথাও 69 , 70 নিয়ে আলোচনা করা হয়েছে , যা সম্পূর্ণরূপে শ্রেণিবদ্ধ হিসাবে শ্রেণিবিন্যাসের জন্য আবারও ছোট এলাকা।
তিনটি নতুন ফলাফল এক সূর্য, মাল্টিজুনশন ডিভাইস সম্পর্কিত টেবিল 3 এ প্রকাশিত। প্রথমটি ২ সেন্টিমিটার 2 এককোলিয়িক, তিন-জংশন, দুটি টার্মিনাল গাইন ইনপুট / গাউস / সি ট্যান্ডেম ডিভাইস (একক, রূপান্তরিত, সরাসরি বৃদ্ধি) এর জন্য ২3.3% এবং ফ্যানারহফার ইনস্টিটিউট ফর সৌর এনার্জি সিস্টেমের দ্বারা পরিমাপ করা হয়। 39
দ্বিতীয় নতুন ফলাফলটি 1-সেমি 2 পারভোভিয়েট / সিলিকন একত্রীকরণের দুই-জাংশনের জন্য ২7.3% দক্ষতা প্রদর্শন করে, অক্সফোর্ড পিভি 40 দ্বারা তৈরি দুটি টার্মিনাল ডিভাইস এবং আবার সৌর শক্তি সিস্টেমের ফ্রনহফফার ইনস্টিটিউট দ্বারা পরিমাপ করা হয়। উল্লেখ্য যে এই দক্ষতাটি এখন একটি একক-জাংশন সিলিকন সেল (টেবিল 1 ) এর জন্য সর্বোচ্চ দক্ষতা অতিক্রম করেছে, যদিও এটি একটি ছোট ছোট ডিভাইস ডিভাইসের জন্য।
টেবিল 3 এর জন্য একটি তৃতীয় নতুন ফলাফল একটি বহুসংযোগ সেল "উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রম" হিসাবে অন্তর্ভুক্ত করা হয়েছে। 37.8% এর দক্ষতা 1 সেন্টিমিটার 2 গাইন ইনপুট / GaAs / GaInAs একত্রীকরণের তিন-জাংশনের জন্য মাপা হয়, মাইক্রোলিঙ্ক ডিভাইস 44 দ্বারা তৈরি দুটি টার্মিনাল সেল এবং NREL এ পরিমাপ। এই ডিভাইসটির উল্লেখযোগ্য বৈশিষ্ট্য হল যে এটি একটি পুনঃব্যবহারযোগ্য একটি স্তর থেকে epitaxial lift-off ব্যবহার করে বানানো হয়েছিল। 44
সারণি 5 ("ঘনকীয় কোষ এবং মডিউলগুলি") দুটি নতুন ফলাফল উপস্থিত হয়। প্রথমটি একটি একক জংশনের জন্য 30.5% দক্ষতা গ্যএএস কনসেন্টার সেল তৈরি এবং NREL দ্বারা পরিমাপ করা হয়।
দ্বিতীয় একটি "উল্লেখযোগ্য ব্যতিক্রম"। 12২ সেমি 2 কনস্রোটার মিনিআইডিয়ালের জন্য 41.4% এর দক্ষতা রিপোর্ট করা হয়েছে যা 10 গ্লাস অ্যাক্রোম্যাটিক লেন্স এবং 10 টি ওয়েফার-বন্ডযুক্ত GaInP / GaAs, GaInAsP / GaInAs 4-junction সৌর কোষগুলি ফ্যাব্রিক এবং FHG-ISE দ্বারা মাপা হয়। এই একটি আন্তঃসংযোগ কেন্দ্রীক মডিউল জন্য পরিমাপ সর্বোচ্চ দক্ষতা।
নতুন গায় এবং সিজেডটিএস সেল কোষের ফলাফলগুলির জন্য ইকিউই স্পেক্ট্রা এই টেবিলের বর্তমান ইস্যুতে চিত্রিত চিত্র 1 এ দেখানো হয়েছে, চিত্র 1 বি একই ডিভাইসের জন্য বর্তমান ঘনত্ব-ভোল্টেজ (জেভি) তরঙ্গগুলি দেখায়। চিত্র 2 A নতুন ইপিভি সেল এবং পেরোভস্কাইট মডিউল ফলাফলের জন্য EQE দেখায় যা চিত্র 2 বি তাদের বর্তমান JV curves দেখাচ্ছে। চিত্র 3 এ, বি নতুন দুটি জংশনের জন্য সংশ্লিষ্ট EQE এবং JV curves দেখায়, দুটি টার্মিনাল সেল ফলাফল।
এ, নতুন GAAs এবং CZTSSe কোষ ফলাফলের জন্য বাহ্যিক কোয়ান্টাম দক্ষতা (EQE) এই বিষয়ে রিপোর্ট করা হয়েছে; বি, একই ডিভাইসগুলির জন্য বর্তমান ঘনত্ব-ভোল্টেজ (জেভি) রেখাচিত্রগুলি [রঙের চিত্রটি উইলিঅনলাইনেলবার্গ.কম এ দেখা যাবে] 
এ, নতুন OPV এবং পেরোভস্কাইট কোষ ফলাফলের জন্য বাহ্যিক কোয়ান্টাম দক্ষতা (ইকিউই) এই বিষয়ে রিপোর্ট করেছে; বি, বর্তমান ঘনত্ব-ভোল্টেজ (জেভি) রেখাচিত্রের সাথে [রঙের চিত্রটি wileyonlinelibrary.com এ দেখা যাবে] 
এ, বহুমুখী কোয়ান্টাম দক্ষতা (EQE) নতুন মাল্টিজুনশন সেল ফলাফলের জন্য এই বিষয়ে রিপোর্ট করা হয়েছে (কিছু ফলাফল স্বাভাবিক); বি, বর্তমান ঘনত্ব-ভোল্টেজ (জেভি) রেখাচিত্রের সাথে [রঙের চিত্রটি wileyonlinelibrary.com এ দেখা যাবে] 3 ডিসক্লেমার
টেবিলে প্রদত্ত তথ্য ভাল বিশ্বাসে সরবরাহ করা হলেও, লেখক, সম্পাদক এবং প্রকাশক কোন ত্রুটি বা ভুলের সরাসরি দায় স্বীকার করতে পারবেন না।
স্বীকৃতি
অস্ট্রেলিয়ান পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সংস্থার (আরে) মাধ্যমে অস্ট্রেলিয়ান সরকার ফরওয়ার্ড অ্যাডভান্সড ফটোভোলটাইকস ফেব্রুয়ারীতে ২013 সালে অপারেশন শুরু করে। অস্ট্রেলিয়ান সরকার এখানে প্রকাশিত মতামত, তথ্য বা উপদেশের দায় স্বীকার করে না। ডি। লেভির কাজটি জাতীয় পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি পরীক্ষাগারের সাথে চুক্তি নং ডি-এসি 36-08-জিও 28308 এর অধীনে শক্তি বিভাগের সহায়তায় সমর্থিত হয়েছিল। অর্থনীতি, বাণিজ্য, শিল্প (এমটিআই) মন্ত্রণালয়ের অধীনে জাপান নিউ এনার্জি অ্যান্ড ইন্ডাস্ট্রিয়াল টেকনোলজি ডেভেলপমেন্ট অর্গানাইজেশন (এনইডিও) এর অংশে এআইএসটি-এ কাজটি সমর্থিত হয়েছিল।
