-
![4H P-টাইপ করুন SiC ওয়েফার]()
4H P-টাইপ করুন SiC ওয়েফারP-টাইপ SiC সাবস্ট্রেটগুলি হোমোপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি এবং অতি-উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। চমৎকার বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্যের সাথে, এই -
![4H সেমি-অন্তরক SiC ওয়েফার]()
4H সেমি-অন্তরক SiC ওয়েফারআধা-SIC সাবস্ট্রেটগুলি উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং চমৎকার তাপীয় বৈশিষ্ট্য প্রদান করে, যা তাদের GaN হেটেরোপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি RF সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে -
![4H N-টাইপ SiC সাবস্ট্রেট]()
4H N-টাইপ SiC সাবস্ট্রেটএন-টাইপ SiC সাবস্ট্রেটগুলি উন্নত পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে হোমোপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়। উচ্চতর বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় কর্মক্ষমতা সহ, এই উচ্চ-পারফরম্যান্সের SiC সাবস্ট্রেটটি
