সৌর পিভি মডিউল ত্রুটি এবং ব্যর্থতা

সূত্র: ee.co.za

আধুনিক সৌর পিভি সরঞ্জামগুলি পণ্যের পুরো জীবদ্দশায় নির্ভরযোগ্য অপারেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এই উত্পাদন ত্রুটি এবং অকাল ব্যর্থতা সত্ত্বেও এখনও ঘটে যা কোনও পণ্যের কর্মক্ষমতাকে প্রভাবিত করতে পারে।

নির্ভরযোগ্যতা এবং গুণমান আধুনিক সৌর পিভি সরঞ্জামগুলিতে ডিজাইন এবং অন্তর্নির্মিত। ভর উত্পাদনের কৌশলগুলি যদিও নিয়ন্ত্রিত, এবং নিম্ন মানের নিয়ন্ত্রণ এখনও পণ্যটিতে উত্পাদন ত্রুটিগুলি প্রবর্তন করতে পারে, এবং ক্ষেত্রের ইনস্টলেশন পাশাপাশি পরিবহণের ক্ষতি হতে পারে, যার সবগুলিই পণ্যের আয়ু সংক্ষিপ্ত করতে পারে।

ফটোভোলটাইজ সিস্টেমগুলির ব্যয় হ্রাস করার একটি মূল বিষয় হ'ল পিভি মডিউলগুলির নির্ভরযোগ্যতা এবং পরিষেবা জীবনের সময় বৃদ্ধি করা। আজকের পরিসংখ্যানগুলি 0,8% / বছর [1] এর স্ফটিক সিলিকন পিভি মডিউলগুলির জন্য রেটেড পাওয়ারের অবক্ষয় হার দেখায়। যদিও আধুনিক পণ্যগুলি উচ্চমানের উপকরণ এবং যান্ত্রিক উত্পাদন ব্যবহারের জন্য তৈরি করা হয়েছে, দামের প্রতিযোগিতার ফলে প্যানেলগুলি তৈরিতে পাতলা এবং কম উপাদান ব্যবহৃত হচ্ছে। এছাড়াও প্রমাণ রয়েছে যে কিছু উত্পাদনকারী কম দামে নিম্নমানের সামগ্রী ব্যবহারে প্রত্যাবর্তন করেছে।

প্যানেলগুলির অকাল ব্যর্থতার কারণে পিভি ইনস্টলেশনগুলির জন্য বড় ধরনের আর্থিক জড়িত থাকতে পারে, কারণ জীবনযাত্রার প্রধান ব্যয় মূলধন। একটি পিভি মডিউল ব্যর্থতা এমন একটি প্রভাব যা মডিউল শক্তিকে হ্রাস করে যা সাধারণ অপারেশন দ্বারা বিপরীত হয় না বা সুরক্ষা সমস্যা তৈরি করে।

একটি খাঁটি কসমেটিক সমস্যা যার মধ্যে এই পরিণতিগুলির একটিও নেই পিভি মডিউল ব্যর্থতা হিসাবে বিবেচিত হবে না। কোনও পিভি মডিউল ব্যর্থতা ওয়ারেন্টিটির জন্য প্রাসঙ্গিক হয় যখন এটি মডিউলটি সাধারণত অভিজ্ঞতা হয় [1] under

সাধারণত পণ্যগুলির ব্যর্থতাগুলি নিম্নলিখিত তিনটি বিভাগে বিভক্ত:

• শিশু ব্যর্থতা

• মিডলাইফ ব্যর্থতা

• ব্যর্থতা পরিধান

চিত্র 1 এই পিভি মডিউলগুলির জন্য এই তিন ধরণের ব্যর্থতার উদাহরণ দেখায়। এই মডিউল ব্যর্থতাগুলি ছাড়াও, অনেকগুলি পিভি মডিউল ইনস্টলেশনের পরপরই হালকা-চালিত পাওয়ার অবক্ষয় (এলআইডি) দেখায়। এলআইডি হ'ল একটি ব্যর্থতা যা কোনওভাবেই ঘটে এবং পিভি মডিউলের লেবেলে মুদ্রিত রেট পাওয়ারটি সাধারণত এই ব্যর্থতার কারণে প্রত্যাশিত মানযুক্ত স্যাচুরেটেড পাওয়ার ক্ষয় দ্বারা সামঞ্জস্য হয়।

চিত্র 1: ওয়েফার-ভিত্তিক স্ফটিকের ফটোভোলটাইক মডিউলগুলির জন্য তিনটি সাধারণ ব্যর্থতার পরিস্থিতি [1]।

IDাকনা: হালকা প্ররোচিত অবক্ষয়
পিআইডি: সম্ভাব্য প্ররোচিত অবক্ষয়
ইভা: ইথিলিন বিনিল অ্যাসিটেট
জে বক্স: জংশন বাক্স

ফল্ট এবং ব্যর্থতার ঘটনা

প্যানেলগুলির পুরো জীবদ্দশায় পরিষেবা-ব্যর্থতার বিস্তারিত অধ্যয়ন পাওয়া যায় না কারণ বেশিরভাগ ইনস্টলেশন সাম্প্রতিক এবং সরবরাহকারীরা এই জাতীয় পরিসংখ্যান প্রকাশ করতে নারাজ। শিশুমৃত্যু অধ্যয়নের রিপোর্টগুলি, অর্থাৎ ইনস্টলেশন ব্যর্থতা, ইনস্টল হওয়া সমস্ত প্যানেলের 1 এবং 2% এর মধ্যে পরিসংখ্যান দেয় [3]। ত্বকযুক্ত জীবনকাল সহ বেশ কয়েকটি সিমুলেশন অধ্যয়ন করা হয়েছে, তবে সীমিত সংখ্যক প্যানেলে।

সোলারেক্স সি-সি প্যানেলগুলির আট বছরের সময়কালে বিপি সোলার একটি ব্যর্থতার হারের কথা জানিয়েছেন এবং সান্দিয়া ন্যাশনাল ল্যাবরেটরিজ ফিল্ডের তথ্যের ভিত্তিতে বার্ষিক 0,05% ব্যর্থতার পূর্বাভাস দিয়েছে [4] তবে এগুলি স্বল্পমেয়াদী জীবনের প্রাথমিক পরিসংখ্যান এবং বড় আকারের ইনস্টলেশনগুলির জন্য দেরী জীবন ব্যর্থতার কোনও চিত্র পাওয়া যায় না।

প্রধান ত্রুটি এবং ব্যর্থতা

ব্যর্থতা কর্মক্ষমতা এবং সুরক্ষা সম্পর্কিত ব্যর্থতার ধরণগুলিতে বিভক্ত হতে পারে। সুরক্ষা সম্পর্কিত ব্যর্থতার ফলে সম্পত্তি বা ক্ষতিগ্রস্থদের ক্ষতি হতে পারে। কর্মক্ষমতা সম্পর্কিত ব্যর্থতার ফলে আউটপুট শক্তি হ্রাস বা হ্রাস ঘটে।

ত্রুটিগুলি নিম্নলিখিত অঞ্চলে ঘটে:

• ক্রিস্টাল পিভি পণ্যগুলিতে ওয়েফার বা সেলগুলি

• এনক্যাপসুলেশন

• কাচের বেস

• অভ্যন্তরীণ তারের

• ফ্রেম এবং জিনিসপত্র

• নিরাকার পিভিতে নিরাকার স্তরগুলি

ওয়েফার বা কক্ষের ত্রুটি

কোষের কার্যকারিতাটির অবক্ষয় ঘরের জীবনকালের উপরে স্বাভাবিক এবং অবক্ষয়ের হার স্বাভাবিক সীমা অতিক্রম না করা হলে ত্রুটি বা ব্যর্থতা হিসাবে বিবেচিত হবে না। বেশিরভাগ ওয়েফার বা কোষের ত্রুটিগুলি ওয়েফারের ক্র্যাকিং এবং সংযোগ এবং কন্ডাক্টরের ক্ষতি হতে পারে। ক্ষুদ্রতর ফল্টগুলি অ্যান্টি-রিফ্লেকটিভ লেপ (এআরসি) ক্ষতি এবং কোষের ক্ষয় থেকে উদ্ভূত হয়। নিরাকার সৌর প্যানেলগুলিতে হালকা প্ররোচিত অবক্ষয় একটি পরিচিত প্রভাব এবং এটি অবশ্যই ব্যর্থতা হিসাবে বিবেচিত হয় না। সম্ভাব্য প্ররোচিত অবক্ষয় একটি নতুন ঘটনা যা পিভি সিস্টেমে ক্রমবর্ধমান উচ্চ ভোল্টেজগুলির ফলস্বরূপ প্রকাশ পেয়েছে।

বিরোধী-প্রতিফলিত লেপ বিলম্ব

একটি অ্যান্টি-রিফ্লেকটিভ লেপ (এআরসি) আলোর ক্যাপচার বাড়ায় এবং অতএব, মডিউল পাওয়ার রূপান্তর বৃদ্ধি করে। এআরসি বিসর্জন ঘটে যখন অ্যান্টি-রিফ্লেকটিভ লেপটি কোষের সিলিকন পৃষ্ঠ থেকে আসে। অনেক বেশি ক্ষয়ক্ষতি না থাকলে এটি কোনও গুরুতর ত্রুটি নয় [২]। গবেষণা এআরসি বৈশিষ্ট্যগুলিকে পিআইডি-র একটি কার্যকারক হিসাবে দেখিয়েছে।

সেল ক্র্যাকিং

পিভি মডিউলগুলির ফাটল সর্বব্যাপী। তারা মডিউলটির জীবদ্দশায় বিভিন্ন পর্যায়ে বিকাশ করতে পারে।

বিশেষত উত্পাদন করার সময়, সোল্ডারিং কোষগুলিতে উচ্চ চাপকে প্ররোচিত করে। পরিবহণে পরিচালনা এবং কম্পনগুলি ফাটলকে প্ররোচিত করতে বা প্রসারিত করতে পারে [৪]। অবশেষে, ক্ষেত্রের একটি মডিউল বায়ু (চাপ এবং কম্পন) এবং তুষার (চাপ) এর কারণে যান্ত্রিক বোঝা অনুভব করে।

মাইক্রো-ফাটলগুলি এর দ্বারা সৃষ্ট বা বাড়তে পারে:

• উত্পাদন

• পরিবহন

• স্থাপন

• পরিষেবাতে চাপ (তাপ এবং অন্যথায়)

ক্রিস্টালাইন ওয়েফারগুলি আকারে বৃদ্ধি পেয়েছে এবং কয়েক বছরের মধ্যে বেধে হ্রাস পেয়েছে, ভাঙ্গন এবং ক্র্যাকিংয়ের সম্ভাবনা বাড়িয়ে তোলে। সৌর কোষে ফাটলগুলি পিভি মডিউলগুলির জন্য একটি আসল সমস্যা কারণ এগুলি এড়ানো শক্ত এবং এখন পর্যন্ত মূলত তার জীবদ্দশায় মডিউলটির দক্ষতার উপর তাদের প্রভাব সম্পর্কে পরিমাণ নির্ধারণ করা অসম্ভব। বিশেষত, মাইক্রো ফাটলগুলির উপস্থিতি একটি নতুন মডিউলের শক্তিতে কেবলমাত্র প্রান্তিক প্রভাব ফেলতে পারে, যতক্ষণ না কোষগুলির বিভিন্ন অংশ এখনও বৈদ্যুতিনভাবে সংযুক্ত থাকে।

মডিউল বয়সের হিসাবে এবং তাপ এবং যান্ত্রিক চাপের শিকার হওয়ার ফলে, ফাটলগুলি চালু করা যেতে পারে। ক্র্যাকড কোষের অংশগুলির পুনরাবৃত্ত আপেক্ষিক চলনের ফলে সম্পূর্ণ বিচ্ছেদ ঘটতে পারে, ফলস্বরূপ নিষ্ক্রিয় কোষের অংশগুলি হতে পারে parts এই বিশেষ ক্ষেত্রে বিদ্যুৎ হ্রাস সম্পর্কে একটি পরিষ্কার মূল্যায়ন সম্ভব। একটি 60 কোষের জন্য, 230 ডাব্লু পিভি মডিউল মেশিনের সেল অংশের 8% এর চেয়ে কম অংশ হ্রাস হওয়া অবধি কোষের অংশগুলি হ্রাস গ্রহণযোগ্য [3]।

চিত্র 2: কোষগুলিতে মাইক্রো ফাটলের কারণে শামুক ট্র্যাকস [1]।

মাইক্রো-ফাটলগুলি পিভি কোষগুলির সিলিকন সাবস্ট্রেটে ক্র্যাক হয় যা প্রায়শই খালি চোখে দেখা যায় না। একটি সৌর কোষে বিভিন্ন দৈর্ঘ্য এবং অভিযোজনে ফাটল তৈরি হতে পারে। উত্পাদন প্রক্রিয়া চলাকালীন ওয়েফার কাটা, সেল উত্পাদন স্ট্রিং এবং এম্বেডিং প্রক্রিয়া ফটোভোলটাইক কোষগুলিতে সেল ফাটল সৃষ্টি করে। সৌর কোষগুলির স্ট্রিং প্রক্রিয়াটি ফাটল প্রবর্তনের জন্য বিশেষত উচ্চ ঝুঁকি নিয়ে থাকে [1]।

উত্পাদনের সময় মাইক্রো ফাটলগুলির তিনটি ভিন্ন উত্স রয়েছে; প্রত্যেকের নিজস্ব ঘটনার সম্ভাবনা রয়েছে:

• সেল আন্তঃসংযোগ পটি থেকে শুরু হওয়া ফাটলগুলি সলডিং প্রক্রিয়া দ্বারা উত্পন্ন অবশিষ্টাংশের চাপের কারণে ঘটে। এই ফাটলগুলি প্রায়শই সংযোজকের প্রান্ত বা প্রারম্ভের পয়েন্টে অবস্থিত কারণ সেখানে সর্বোচ্চ অবশিষ্টাংশ রয়েছে is এই ক্র্যাক প্রকারটি সর্বাধিক ঘন ঘন।

• তথাকথিত ক্রস ক্র্যাক, যা উত্পাদন চলাকালীন ওয়েফারে চাপ দেওয়ার কারণে ঘটে।

• কক্ষের প্রান্ত থেকে শুরু হওয়া ফাটলগুলি কোনও শক্ত বস্তুর বিরুদ্ধে সেল প্রভাবিত করে।

একবার সৌর মডিউলে সেল ফাটল উপস্থিত হওয়ার পরে, ঝুঁকি রয়েছে যে সৌর মডিউলটির অপারেশন চলাকালীন সংক্ষিপ্ত কোষের ফাটলগুলি দীর্ঘতর এবং আরও বিস্তৃত ফাটলগুলিতে পরিণত হতে পারে। এটি বাতাস বা তুষার ভারের কারণে সৃষ্ট যান্ত্রিক চাপ এবং সৌর মডিউলগুলিতে তাপীয় যান্ত্রিক চাপের কারণে তাপমাত্রার পরিবর্তনের কারণে মেঘ এবং আবহাওয়ার পরিবর্তনের কারণে ঘটে temperature

মাইক্রো-ফাটলের বিভিন্ন উত্স হতে পারে এবং পরিবর্তে "নরম" ফলাফল যেমন শর্ট সার্কিট কারেন্ট এবং কোষের কার্যকারিতা হ্রাস জড়িত জড়িত আরও বেশি মারাত্মক প্রভাব পর্যন্ত আক্রান্ত কোষের অংশগুলির ফলন হ্রাস করার মতো ফলাফল হতে পারে। দৃশ্যত, মাইক্রো-ফাটলগুলি কোষের কাঠামোতে তথাকথিত "শামুক ট্রেল" আকারে উপস্থিত হতে পারে। তবে, শামুকের ট্রেইলগুলি - দীর্ঘমেয়াদী প্রভাবের চিহ্ন হিসাবে - রাসায়নিক প্রক্রিয়াটির ফলেও কোষের পৃষ্ঠের পৃষ্ঠের পরিবর্তন এবং / বা গরম দাগ পড়তে পারে।

বৃহত্তর ফাটলগুলির ক্র্যাক প্যাটার্নের উপর নির্ভর করে, তাপীয়, যান্ত্রিক চাপ এবং আর্দ্রতা "মৃত" বা "নিষ্ক্রিয়" কোষের অংশ হতে পারে যা প্রভাবিত ফটোভোলটাইক কোষ থেকে পাওয়ার আউটপুট হ্রাস পেতে পারে। একটি মৃত বা নিষ্ক্রিয় ঘরের অংশটির অর্থ হল যে ফটোভোলটাইক কোষের এই বিশেষ অংশটি এখন আর সৌর মডিউলটির মোট শক্তি আউটপুটে অবদান রাখে না। ফোটোভোলটাইক কোষের এই মৃত বা নিষ্ক্রিয় অংশটি যখন মোট ঘর ক্ষেত্রের 8% এর বেশি হয়, তখন এটি নিষ্ক্রিয় ঘরের ক্ষেত্রের সাথে প্রায় রৈখিকভাবে বিদ্যুৎ হ্রাস ঘটায় [1]।

ক্র্যাকগুলি সম্ভাব্যভাবে দীর্ঘতর ক্রিয়াকলাপের সময় বৃদ্ধি পায় এবং এটি পিভি মডিউলের কার্যকারিতা এবং কর্মক্ষমতাতে তাদের ক্ষতিকারক প্রভাব বাড়ায়, হট স্পটগুলিও সম্ভাব্যভাবে ট্রিগার করে। সনাক্ত করা যায় না, মাইক্রো ফাটলগুলি প্রত্যাশিত ক্ষেত্রের চেয়ে কম আয়ু হতে পারে। এগুলি আকার, কোষের অবস্থান এবং প্রভাবের গুণমানের ক্ষেত্রে পৃথক।

মাইক্রো-ফাটলগুলি ইনস্টল করার আগে এবং কোনও প্রকল্পের আজীবন মাঠে সনাক্ত করা যায়। মাইক্রো ফাটল সনাক্তকরণের জন্য বিভিন্ন মানের পরীক্ষার পদ্ধতি রয়েছে যার মধ্যে বৈদ্যুতিন বিদ্যুৎ পরীক্ষা (EL) বা ইলেক্ট্রোলিউমিনিসেসেন্স ক্র্যাক সনাক্তকরণ (ELCD) পরীক্ষাটি সবচেয়ে কার্যকর পদ্ধতির মধ্যে একটি। EL টেস্টিং লুকানো ত্রুটিগুলি সনাক্ত করতে পারে যা তাপীয় ক্যামেরাগুলি সহ ইনফ্রারেড (আইআর) ইমেজিং, ভিএ বৈশিষ্ট্যযুক্ত এবং ফ্ল্যাশ পরীক্ষার [1] এর মতো অন্যান্য পরীক্ষার পদ্ধতিগুলির দ্বারা অন্রেসেসেবলের আগে ছিল। কিছু নির্মাতারা আজীবন ইনস্টল করা প্যানেলগুলির নিয়মিত পরিদর্শন করার পরামর্শ দেন [3]।

এনক্যাপসুলেশন ত্রুটি

একটি সৌর প্যানেল হ'ল "স্যান্ডউইচ", যা বিভিন্ন স্তরের উপকরণের তৈরি (চিত্র 3)।

চিত্র 3: একটি পিভি মডিউল [2] এর উপাদান।

এনক্যাপসুলেটিং উপকরণগুলি ব্যবহৃত হয়:

• তাপ, আর্দ্রতা, ইউভি বিকিরণ এবং তাপ সাইকেল চালানো প্রতিরোধ করুন

• ভাল আনুগত্য প্রদান

• কোষে অপটিকালি কাপল গ্লাস

• বৈদ্যুতিকভাবে উপাদান বিচ্ছিন্ন

• নিয়ন্ত্রণ করুন, হ্রাস করুন বা আর্দ্রতা প্রবেশ বন্ধ করুন

এনক্যাপসুলেশনের জন্য ব্যবহৃত সবচেয়ে সহ মোমন উপাদান হ'ল ইথলাইন বিনিল এসিটেট (ইভা)। এনক্যাপসুল্যান্টের ব্যর্থতার ফলে পিভি মডিউলটির ব্যর্থতা বা অবনতি হতে পারে।

আনুগত্য ব্যর্থতা

কাঁচ, encapsulant, সক্রিয় স্তর এবং পিছনে স্তর মধ্যে সংযুক্তি অনেক কারণে আপস করা যেতে পারে। পাতলা-ফিল্ম এবং অন্যান্য ধরণের পিভি প্রযুক্তিতে স্বচ্ছ পরিবাহী অক্সাইড (টিসিও) বা অনুরূপ স্তর থাকতে পারে যা সংলগ্ন কাচের স্তর থেকে বিচ্ছিন্ন হতে পারে।

সাধারণত, যদি সংশ্লেষ (যেমন গ্লাসের অনুপযুক্ত পরিষ্কার) বা আঞ্চলিক কারণগুলির সাথে সংযুক্তিটি আপস করা হয়, তবে আর্দ্রতা দেখা দেবে এবং তার পরে আর্দ্রতা প্রবেশ এবং ক্ষয় হবে। অপটিকাল পাথের অভ্যন্তরে ইন্টারফেসগুলির বিলম্বের ফলে অপ্টিকাল প্রতিবিম্ব হবে (উদাহরণস্বরূপ, একক বায়ু / পলিমার ইন্টারফেসে 4% পর্যন্ত বিদ্যুৎ হ্রাস) এবং মডিউলগুলি থেকে পরবর্তী (বিদ্যুৎ) হ্রাস হবে [1]।

অ্যাসিটিক অ্যাসিড উত্পাদন

ইভিএ শিটগুলি আর্দ্রতার সাথে প্রতিক্রিয়া করে এসিটিক অ্যাসিড তৈরি করে যা পিভি মডিউল উপাদানগুলির অভ্যন্তরীণ উপাদানটির জারা প্রক্রিয়াটিকে গতি দেয়। এটি ইভা বৃদ্ধির প্রক্রিয়া থেকেও আসতে পারে এবং রূপালী পরিচিতিগুলিতে আক্রমণ করতে পারে এবং কোষ উত্পাদনকে প্রভাবিত করতে পারে। প্রবেশযোগ্য ব্যাক শিটগুলির জন্য, এটি কোনও সমস্যা নয় কারণ এসিটিক অ্যাসিডটি পালাতে পারে। যাইহোক, দুর্ভেদ্য ব্যাক-শিটগুলির জন্য, এই ত্রুটিটি সময়ের সাথে সাথে বিদ্যুতের যথেষ্ট পরিমাণে ক্ষতি করতে পারে।

এনক্যাপসুল্যান্ট ডিসক্লোরিং

এর ফলে কিছু সংক্রমণ হ্রাস পাবে এবং এর ফলে শক্তি হ্রাস পাবে। ডিসকোলারিং অক্সিজেন ব্লিচিংয়ের কারণে হয়, তাই বাইরের রিংগুলি পরিষ্কার থাকাকালীন শ্বাস-প্রশ্বাসের ব্যাক শিটের সাথে কোষগুলি কেনা হয় disc ইভা তৈরিতে দুর্বল ক্রস লিঙ্কিং এবং / অথবা সংযোজনগুলির কারণে এটি ঘটতে পারে।

চিত্র 4: বর্ণহীন ইভা [5]।

একাগ্রতা ছাড়াই বিবর্ণতা দেখতে পাঁচ থেকে দশ বছর সময় লাগে এবং আউটপুট শক্তি প্রশংসনীয়ভাবে হ্রাস শুরু করতে আরও দীর্ঘ সময় লাগে। এটি নিজেই ইভা নয় যে বিবর্ণ হয়, তবে সূত্রটিতে সংযোজনকারী। এই ত্রুটিটি কিছু আলোকে প্যানেলে পৌঁছাতে বাধা দিতে পারে [5]।

Delamination

ডিলিমিনেশন হ'ল কাঁচ বা ঘর থেকে এনক্যাপসুল্যান্টের বিভাজন। ডিলিমিনেশন সুপারস্ট্রেট (গ্লাস), সাবস্ট্রেট (ব্যাক-শিট) এবং এনক্যাপসুল্যান্টের মধ্যে বা এনক্যাপসুল্যান্ট এবং কোষের মধ্যে হতে পারে। জালিয়াতির প্রক্রিয়া চলাকালীন দুর্বল ইভিএ আনুগত্য বা দুর্বল কাঁচ পরিষ্কারের পদ্ধতির কারণে সামনের কাচ থেকে ডিলিমিনেশন ঘটতে পারে। এই ত্রুটিটি প্যানেলে পৌঁছানোর থেকে কিছু আলো রোধ করতে পারে। সমস্যাটি আরও মারাত্মক হয়ে উঠতে পারে যদি আর্দ্রতা শূন্যতায় জমা হয় এবং সোল্ডার তারগুলির কাছে শর্ট সার্কিট তৈরি করে।

কোষ থেকে বিলুপ্তি সম্ভবত কোষের পৃষ্ঠের দুর্বল সংযোগ বা দূষণের কারণে ঘটে। এই ত্রুটিটি গুরুতর হতে পারে কারণ যখন ল্যামিনেটে একটি বায়ু বুদ্বুদ তৈরি করা হয় তখন আর্দ্রতা জমে ও শর্ট সার্কিট হওয়ার সম্ভাবনা থাকে। যদি ইভিএ মনগড়া করার সময় সন্নিবেশকে ভালভাবে মেনে না নেয় তবে সন্নিবেশ থেকে ডিলিমিনেশন ঘটে।

ডিলিমিনেশনের পরে নিম্নলিখিত নতুন পথ এবং পরবর্তী জারা মডিউলটির কার্যকারিতা হ্রাস করে তবে স্বয়ংক্রিয়ভাবে কোনও সুরক্ষা সমস্যা সৃষ্টি করে না। পিছনের শীটটির বিলম্বকরণ সক্রিয় বৈদ্যুতিক উপাদানগুলির সংস্পর্শের সম্ভাবনা সক্ষম করতে পারে। যখন কোনও মডিউল গ্লাসের সামনের- এবং ব্যাক-শীটগুলির সাহায্যে তৈরি করা হয়, সেখানে ডেলিমিনেশন এবং / অথবা কাচের ভাঙ্গন বাড়ানোর জন্য অতিরিক্ত স্ট্রেস থাকতে পারে।

পিছনে শীট ত্রুটি

একটি মডিউলটির পিছনের শীট উভয়ই পরিবেশের সরাসরি এক্সপোজার থেকে বৈদ্যুতিন উপাদানগুলিকে রক্ষা করতে এবং উচ্চ ডিসি ভোল্টেজের উপস্থিতিতে নিরাপদ অপারেশন সরবরাহ করে। ব্যাক-শিটগুলি গ্লাস বা পলিমার দিয়ে তৈরি হতে পারে এবং এটি একটি ধাতব ফয়েল অন্তর্ভুক্ত করতে পারে।

চিত্র 5: বিলম্ব (রাইক্রফ্ট)।

বেশিরভাগ ক্ষেত্রে, একটি ব্যাক-শিটটি একটি অত্যন্ত স্থিতিশীল এবং ইউভি প্রতিরোধী পলিমার সহ ল্যামিনেট কাঠামো দিয়ে তৈরি করা হয়, প্রায়শই বাইরের দিকে ফ্লুরোপলিমার থাকে, সরাসরি পরিবেশের সংস্পর্শে আসে, পিইটির অভ্যন্তরীণ স্তর থাকে, তারপরে এনক্যাপসুল্যান্ট স্তর থাকে [1] ।

পিছনের গ্লাসটি যখন পিছনের শিটের পরিবর্তে ব্যবহৃত হয়, তখন এটি ভেঙে ব্যর্থ হতে পারে। যদি মডিউলটি একটি পাতলা-ফিল্ম ডিভাইস হিসাবে ব্যাক-শিটে (সাবস্ট্রেট সিআইজিএস) হিসাবে নির্মিত হয়, তবে এটি সেই মডিউলটির জন্য উল্লেখযোগ্য বা, সম্ভবত, সম্পূর্ণ বিদ্যুতের ক্ষতি ছাড়াও একটি গুরুত্বপূর্ণ সুরক্ষার বিপত্তি উপস্থাপন করে। ফাটল এবং কিছু ভোল্টেজ বরাবর একটি সামান্য ব্যবধান থাকতে পারে যা বৈদ্যুতিক চাপ তৈরি করতে এবং বজায় রাখতে সক্ষম।

যদি বাইপাস ডায়োডের ব্যর্থতার সাথে এটি ঘটে, তবে পুরো সিস্টেমের ভোল্টেজ একটি বৃহত এবং টেকসই আর্ক তৈরির ফাঁক পেরিয়ে উপস্থিত থাকতে পারে যা সম্ভবত কাঁচা গলে যাওয়ার সম্ভাবনা রয়েছে, সম্ভবত আগুন শুরু করে। যাইহোক, যদি একটি গ্লাসের ব্যাক-শিটটি একটি সাধারণ স্ফটিক সি মডিউলটিতে ভাঙ্গতে থাকে, তবুও বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতার একটি ছোট পরিমাপ সরবরাহের জন্য এনক্যাপসুল্যান্টের একটি স্তর থাকবে।

ইভিএ থেকে বিচ্ছিন্নতা ইভিএ এবং ব্যাক-শিটের মধ্যে দুর্বল সংযুক্তির কারণে বা ব্যাক-শিটের আঠালো স্তরটি যদি ইউভি এক্সপোজার দ্বারা ক্ষতিগ্রস্থ হয় বা কোনও তাপমাত্রা বৃদ্ধির কারণে ঘটে থাকে।

সামনের দিকের হলুদ হওয়াটি এনক্যাপসুল্যান্টে নির্দিষ্ট ব্যাক-শিটের সংযুক্তি প্রচার করতে ব্যবহৃত পলিমারের একটি অবনতির কারণে ঘটে। হলুদ প্রায়শই ক্রমবর্ধমান যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে সম্পর্কিত। এই ত্রুটি সহ, সম্ভবতঃ ব্যাক-শিটটি অবশেষে delaminate এবং / অথবা ক্র্যাক [3] হতে পারে।

এয়ার-সাইড হলুদ হওয়া UV সংবেদনশীলতার লক্ষণ যা উচ্চ তাপমাত্রায় ত্বরান্বিত হতে পারে। তাপীয় অবক্ষয়ের ফলে কিছু ব্যাক-শিটগুলিতেও এই ত্রুটি দেখা দেয়। হলুদ প্রায়শই ক্রমবর্ধমান যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে সম্পর্কিত। এই ত্রুটি সহ, সম্ভবতঃ ব্যাক-শিটটি অবশেষে delaminate এবং / অথবা ক্র্যাক [3] হতে পারে।

গরম দাগ

হট স্পট হিটিং মডিউলে ঘটে যখন এর অপারেটিং কারেন্টটি ছায়াযুক্ত বা ত্রুটিযুক্ত সেল বা কোষের গ্রুপের হ্রাস শর্ট সার্কিট কারেন্ট ( _{আইসি স্ক} ) ছাড়িয়ে যায়। যখন এ জাতীয় পরিস্থিতি দেখা দেয় তখন আক্রান্ত কোষ বা কোষের গোষ্ঠীগুলি বিপরীত পক্ষপাতের দিকে বাধ্য হয় এবং অবশ্যই শক্তি হ্রাস করতে হবে।

চিত্র 6: স্ফটিকের সিলিকন সৌর কোষগুলি ট্যাবিংয়ের ফিতা দিয়ে ধারাবাহিকভাবে সংযুক্ত []]।

যদি বিদ্যুৎ বিচ্ছিন্নতা যথেষ্ট পরিমাণে বা স্থানীয়ভাবে পর্যাপ্ত থাকে তবে বিপরীত পক্ষপাতদুষ্ট সেলটি সলডার এবং / অথবা সিলিকন গলানোর ফলে এবং এনক্যাপসুল্যান্ট এবং ব্যাক-শিটের অবনতি ঘটতে পারে [5]।

কন্ডাক্টর ফিতা এবং যৌথ ব্যর্থতা

সৌর কোষ দুটি বাহ্যিক সার্কিটের স্রোত সরবরাহ করার অনুমতি দেয়, সামনের এবং পিছনের যোগাযোগগুলির সাথে দুটি মৌলিক উপাদান দিয়ে সজ্জিত। সামনের এবং পিছনের পরিচিতিগুলিতে সোল্ডার করা বাস স্ট্রিপগুলি সহ কারেন্ট বাহিত হয়। স্ট্রিং ফিতাটির ব্যর্থতা আউটপুট শক্তি হ্রাসের সাথে সম্পর্কিত। আন্তঃসংযোগ বিরতি তাপীয় প্রসারণ এবং সংকোচন বা পুনরাবৃত্তি যান্ত্রিক চাপের ফলে ঘটে। তদুপরি, পুরু পটি বা ফিতা মধ্যে কিঙ্কস আন্তঃসংযোগগুলি ভাঙ্গতে অবদান রাখে এবং এর ফলে সংক্ষিপ্ত-বৃত্তাকার কোষ এবং খোলা সার্কিট কোষ হয়।

মডিউলটির একটি সমালোচনামূলক অংশ হ'ল সোল্ডার যৌথ আন্তঃসংযোগ। এগুলিতে সোল্ডার, বাস-বার, ফিতা এবং সিলিকন ওয়েফার সহ একসাথে জড়িয়ে থাকা অনেকগুলি উপাদান রয়েছে। এই উপকরণগুলি বিভিন্ন তাপ এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য রাখে। বন্ধনে, অ্যাসেম্বলি থার্মো-মেকানিকাল নির্ভরযোগ্যতা সম্পর্কিত সমস্যাগুলি বিকাশ করে যা বন্ডেড উপকরণগুলির তাপীয় প্রসারণের সহগের মধ্যে পার্থক্যের কারণে ঘটে। সোল্ডার বৈদ্যুতিন এবং ফিতা মধ্যে একটি সংযোগ প্রদান করে।

স্থানীয় আবহাওয়া অনুযায়ী পিভি মডিউল তাপমাত্রা পরিবর্তিত হয় যা ঘুরে বেড়ানোর আন্তঃসংযোগ অবক্ষয়ের হারকে প্রভাবিত করে। একটি আজীবন পূর্বাভাস মডেলিং বিশ্লেষণে জানা গেছে যে বিভিন্ন আবহাওয়া অবস্থিত একই ধরণের সি-সি পিভি মডিউলগুলির জন্য, গ্রীষ্মমণ্ডলীয় অঞ্চলে এর পরে মরুভূমিতে জীবনকাল সবচেয়ে কম ছিল।

যদিও পিভি মডিউলগুলিতে সৌর কোষের সমাবেশে সোল্ডারিং প্রক্রিয়াটির ব্যবহারের ফলে উত্পাদনযোগ্য উত্পাদনের সুবিধা রয়েছে যা ন্যূনতম উত্পাদন ব্যয়ে উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা রাখে, প্রযুক্তিটি উচ্চ তাপমাত্রায় সিলিকন ওয়েফারে শিয়ার স্ট্রেস উত্পাদন করার সহজাত সম্ভাবনা সহ ঘটে। সোল্ডার জোড়গুলির ব্যর্থতা এবং অবক্ষয় সিরিজ প্রতিরোধের বৃদ্ধি ঘটায়, যার ফলে শক্তি হ্রাস হয়।

মডিউল জীবনকাল

উপরের সমস্ত ত্রুটিগুলি পিভি প্যানেলের অবক্ষয় এবং চূড়ান্ত ব্যর্থতায় অবদান রাখে। পিভি মডিউলগুলি ২০ বছর বা তারও বেশি সময় ধরে ডিজাইনের জন্য তৈরি করা হয়েছে এবং নতুন মডিউলগুলি তীব্র পরীক্ষামূলক প্রোগ্রামগুলির মধ্য দিয়ে যায় যা তাপ, আর্দ্রতা, তাপমাত্রা সাইক্লিং, ইউভি রেডিয়েশন এবং অন্যান্য কারণগুলির প্রভাব অনুকরণ করে [ কোহল দ্বারা পরিচালিত পরীক্ষামূলক কর্মসূচির ফলাফল চিত্র 7 7 [7] এ দেখানো হয়েছে।

চিত্র 7: বাণিজ্যিক সি-সি মডিউলগুলিতে ত্বরিত বয়স্ক পরীক্ষাগুলি [7]।

0,8 এর একটি স্বাভাবিক শক্তি স্তর সাধারণত পিভি প্যানেলের জীবনের শেষ হিসাবে নেওয়া হয়। এটি পরীক্ষা বক্ররেখা থেকে দেখা যায় যে পয়েন্টগুলি এই পয়েন্টের পরে দ্রুত ক্ষয় হয়।

নব্বইয়ের দশকের গোড়ার দিকে দশ বছরের ওয়ারেন্টি সাধারণ ছিল। আজ, প্রায় সমস্ত নির্মাতারা 20 থেকে 25 বছরের ওয়ারেন্টি সরবরাহ করে। তবে 25 বছরের ওয়ারেন্টির অর্থ এই নয় যে প্রকল্পটি সুরক্ষিত। আমাদের নিম্নলিখিত প্রশ্নগুলি জিজ্ঞাসা করতে হবে:

• মডিউল সরবরাহকারী যখন সমস্যার মুখোমুখি হন তখন কি প্রায় 15 বছর হবে?

• সরবরাহকারী যদি কোনও এসক্রো অ্যাকাউন্টে তহবিল সরবরাহ করে যে এটি চলে যায় তবে প্রকল্পটি সুরক্ষিত হবে?

• সরবরাহকারী দীর্ঘমেয়াদী স্থায়িত্ব সম্পর্কে দাবি করতে কেবল আইইসি যোগ্যতা পরীক্ষার উপর নির্ভর করে?

• যদি সরবরাহকারীটি কেবল পাঁচ বছরের জন্য হয়ে থাকে তবে এটি কীভাবে দাবি করতে পারে যে মডিউলগুলি 25 বছর ধরে চলে?

ওয়্যারেন্টিগুলির দৈর্ঘ্য বৃদ্ধি আশ্বাসজনক, তবে একজন বিনিয়োগকারী বা বিকাশকারীকে অবশ্যই এটি সরবরাহকারী সংস্থাটির পর্যালোচনা করতে হবে [4]

তথ্যসূত্র

[1] আইইএ: " ফোটোভোলটাইক মডিউলগুলির ব্যর্থতার পর্যালোচনা ", কার্য 13 বহিরাগত চূড়ান্ত প্রতিবেদন, আইএএ-পিভিপিএস, মার্চ 2014।
[২] ডুপন্ট: " সৌর প্যানেল ত্রুটিগুলি বোঝার জন্য গাইড: বানোয়াট থেকে ক্ষেত্রের মডিউলগুলি ", www.dupont.com
[]] এম কনটেজেস, এবং অন্যান্য: " স্ফটিকের ফটোভোলটাইজ মডিউলগুলির ক্র্যাক পরিসংখ্যান ", ২th তম ইউরোপীয় ফটোভোলটাইক সৌর শক্তি সম্মেলন এবং প্রদর্শনী, ২০১১।
[৪] ই ফিটজ: " পিভি মডিউল নির্ভরযোগ্যতার নীচের অংশের প্রভাব ", নবায়নযোগ্য শক্তি বিশ্ব, মার্চ ২০১১।
[5] জে ওলজেমথ এট আল: " স্ফটিক সি সি মডিউলগুলির ব্যর্থতা মোডগুলি ", পিভি মডিউল নির্ভরযোগ্যতা কর্মশালা 2010।
[]] এম জারমাই: " উন্নত স্ফটিক সিলিকন সোলার সেল ফোটোভোলটাইজ মডিউল সমাবেশের জন্য আন্তঃসংযোগ প্রযুক্তির একটি পর্যালোচনা ", ফলিত শক্তি, 2015।
[]] এম কোহল এট আল: পিভি নির্ভরযোগ্যতা (দ্বিতীয় ক্লাস্টার): একটি জার্মান চার বছরের যৌথ প্রকল্পের ফলাফল - প্রথম খণ্ড, ফলাফল তীব্রভাবে বৃদ্ধ বয়স পরীক্ষা এবং অবক্ষয়ের মডেলিং, 25 তম ইইউ-পিভিএসইসি, 2010।