এন টাইপ সিলিকন সৌর ঘর

সিলিকন হেটেরোজাংশন টেকনোলজি (HJT) একটি ইমিটার এবং ব্যাক সারফেস ফিল্ড (BSF) এর উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হয় যা খুব ভালভাবে পরিষ্কার করা একরঙা সিলিকন ওয়েফারের উভয় পাশে নিরাকার সিলিকনের অতি-পাতলা

210mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) সোলার সেল হল 24.4 শতাংশ দক্ষতা এবং 10.76Watt প্রতি সেলের রেট করা শক্তি।

সিলিকন হেটেরোজংশন টেকনোলজি (HJT) একটি ইমিটার এবং ব্যাক সারফেস ফিল্ড (BSF) এর উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হয় যা খুব ভালভাবে পরিষ্কার করা একরঙা সিলিকন ওয়েফারের উভয় পাশে নিরাকার সিলিকনের অতি-পাতলা স্তরের

TOPCON (টানেল অক্সাইড প্যাসিভেটেড কন্টাক্ট) প্রযুক্তি 25 শতাংশ পর্যন্ত এন টাইপ সোলার সেলের দক্ষতা বাড়ায়। ইন্ডাস্ট্রিয়াল 210 মিমি টপকন সোলার সেল সর্বাধিক 24.4 শতাংশ দক্ষতা এবং 10.76 ওয়াট রেট

টপকন (টানেল অক্সাইড প্যাসিভেটেড কন্টাক্ট) প্রযুক্তি এন টাইপ সৌর কোষের কার্যক্ষমতা বাড়ায় 24.5% পর্যন্ত। মনোফেসিয়াল সোলার প্যানেলের তুলনায় বেশি শক্তি।

PERT প্রযুক্তি থেকে উন্নত, TOPCON (টানেল অক্সাইড প্যাসিভেটেড কন্টাক্ট) প্রযুক্তি AlOx/ SiNx প্যাসিভেশন লেয়ারের সাথে মিলিয়ে N টাইপ 166 মিমি সৌর কোষের দক্ষতা 24.4% পর্যন্ত বৃদ্ধি করে।

এন-টাইপ মনো বিফেসিয়াল পার্ট (প্যাসিভেটেড ইমিটার রিয়ার পুরোপুরি বিচ্ছুরিত) সিলিকন সৌর কোষগুলি উচ্চ এবং স্থিতিশীল রূপান্তর কার্যকারিতা ধারণ করে n এবং অভিন্নতা, একটি একক তাপ অ্যানিয়াল, ইন্টিগ্রেটেড

এন-টাইপ মনো বাইফেসিয়াল পার্ট (প্যাসিভেটেড ইমিটার রিয়ার পুরোপুরি বিচ্ছুরিত) সিলিকন সৌর কোষগুলি উচ্চ এবং স্থিতিশীল রূপান্তর কার্যকারিতা ধারণ করে N এন-টাইপ সিলিকন সৌর কোষগুলি পরবর্তী প্রজন্মের জন্য

আন্তঃব্যক্তিত পিছনে যোগাযোগের (আইবিসি) কোষের কাঠামোতে ইমিটার এবং যোগাযোগ উভয়টি ওয়েফারের পিছনে থাকে যা অপটিকাল বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য সম্মুখ পৃষ্ঠের স্বাধীন অপ্টিমাইজেশন এবং ইমিটার এবং পরিচিতিগুলির

এন-টাইপ মনো বাইফেসিয়াল পার্ট (প্যাসিভেটেড ইমিটার রিয়ার পুরোপুরি বিচ্ছুরিত) সিলিকন সৌর কোষগুলি উচ্চ এবং স্থিতিশীল রূপান্তর কার্যকারিতা ধারণ করে N এন-টাইপ সিলিকন সৌর কোষগুলি পরবর্তী প্রজন্মের জন্য