সৌর কোষ

মাল্টিবাসবার, লেজার এসই এবং পিইআরসি প্রযুক্তি এই পরিবারকে উচ্চ বিদ্যুতের সৌর কোষ তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। সংক্ষিপ্ত এবং সংকীর্ণ গ্রিড আঙ্গুলগুলির সাথে মাল্টিবাসবার বৈশিষ্ট্যযুক্ত যা ফলস্বরূপ উচ্চতর এবং

আরও প্রজন্মের জন্য, 156.75 মিমি পিইআরসি প্রাকৃতিকভাবে বাইফেসিয়াল 166 মিমি পিইআরসি-তে উন্নীত করা হয়েছে। এই পরিবারকে উচ্চ বিদ্যুতের সৌর কোষ তৈরি করতে পিইআরসি প্রযুক্তির সাথে লেজার এসই ব্যবহার করা

মাল্টিবাসবার, লেজার এসই এবং পিইআরসি প্রযুক্তি এই পরিবারকে উচ্চ বিদ্যুতের সৌর কোষ তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। সংক্ষিপ্ত এবং সংকীর্ণ গ্রিড আঙ্গুলগুলির সাথে মাল্টিবাসবার বৈশিষ্ট্যযুক্ত যা ফলস্বরূপ উচ্চতর এবং

এই পরিবারকে উচ্চ বিদ্যুতের সৌর কোষ তৈরি করতে পিইআরসি প্রযুক্তির সাথে মিলিত লেজার এসই ব্যবহার করা হয়। প্যাসিভেটেড ইমিটার এবং রিয়ার সেলের জন্য পিআরসি সংক্ষিপ্ত। এটি পি টাইপ মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন

প্যাসিভেটেড ইমিটার এবং রিয়ার সেলের জন্য পিআরসি সংক্ষিপ্ত। এটি পি টাইপ মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন সোলার সেল ভিত্তিক is পিইআরসি পিইআরসি {{0}। স্তরে আপগ্রেড করা হয়েছে। পিইআরসি {{1} for এর উদাহরণগুলি হল

ডায়মন্ড ওয়্যার সের বৃদ্ধির সাথে সাথে, কালো সিলিকনের জনপ্রিয়তা দ্রুত বেড়েছে এবং এটি পিভি শিল্পের জন্য কার্যকর কার্যকর এবং উচ্চ দক্ষতার সুবিধার সাথে মাল্টিক্রিস্টালিন সিলিকনে পুনরুত্থান এনেছে।

আন্তঃব্যক্তিত পিছনে যোগাযোগের (আইবিসি) কোষের কাঠামোতে ইমিটার এবং যোগাযোগ উভয়টি ওয়েফারের পিছনে থাকে যা অপটিকাল বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য সম্মুখ পৃষ্ঠের স্বাধীন অপ্টিমাইজেশন এবং ইমিটার এবং পরিচিতিগুলির

এন-টাইপ মনো বাইফেসিয়াল পার্ট (প্যাসিভেটেড ইমিটার রিয়ার পুরোপুরি বিচ্ছুরিত) সিলিকন সৌর কোষগুলি উচ্চ এবং স্থিতিশীল রূপান্তর কার্যকারিতা ধারণ করে N এন-টাইপ সিলিকন সৌর কোষগুলি পরবর্তী প্রজন্মের জন্য

একই পদক্ষেপে আরও প্রজন্মের জন্য, পিইআরসি প্রাকৃতিকভাবে দ্বিপদীয় পিইআরসিতে আপগ্রেড করা হয়েছে। এই ভিত্তিতে, দ্বিপাক্ষিক পিইআরসিও প্রযুক্তির বিকাশে একটি গুরুত্বপূর্ণ রুটে পরিণত হচ্ছে। বিফেসিয়াল

এই পরিবারের সৌর কোষগুলি এমবিবি প্রযুক্তি এবং পিওআরসি প্রযুক্তি উভয়কে মনোক্রিস্টলাইন ওয়েফারে নিয়োগ করে M একটি উচ্চতর পাওয়ার আউটপুট এবং একটি উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা P প্রথমে, একটি পিছনের পৃষ্ঠের