পি প্রকার 182 মিমি মনোক্রিস্টালিন সোলার ওয়েফার

বৃদ্ধি পদ্ধতি

সিজেড

স্ফটিকতা

মনোক্রিস্টালাইন

প্রেফেরেনশিয়াল এট কৌশল（এএসটিএম F47-88）

পরিবাহিতা প্রকার

পি-টাইপ

নেপসন ইসি -80 টিপিএন

P/N

ডোপ্যান্ট

বোরন, গ্যালিয়াম

-

অক্সিজেন ঘনত্ব [ওআই]

≦8E+17 এ / সেমি³

এফটিআইআর (এএসটিএম এফ 121-83)

কার্বন ঘনত্ব [সিএস]

≦5E+16 এ / সেমি³

এফটিআইআর (এএসটিএম এফ 123-91)

পিচ পিটের ঘনত্ব (বিশৃঙ্খলা ঘনত্ব)

≦500 সেমি^-3

প্রেফেরেনশিয়াল এট কৌশল（এএসটিএম F47-88）

সারফেস ওরিয়েন্টেশন

[জিজি] এলটি; 100 [জিজি] জিটি; ± 3 °

এক্স-রে ডিফারাকশন পদ্ধতি (ASTM F26-1987)

সিউডো বর্গক্ষেত্রের ওরিয়েন্টেশন

[জিজি] এলটি; 010 [জিজি] জিটি ;, [জিজি] এলটি; 001 [জিজি] জিটি; ± 3

এক্স-রে ডিফারাকশন পদ্ধতি (ASTM F26-1987)

প্রতিরোধ ক্ষমতা

0.5-1.5 Ω সেমি

ওয়াফার পরিদর্শন ব্যবস্থা

এমসিএলটি (সংখ্যালঘু ক্যারিয়ারের জীবনকাল)

≧50 μs

সিন্টন বিসিটি -400

(ইনজেকশন স্তর সহ: 1E15) সেমি^-3)

জ্যামিতি

পুরো বর্গাকার

ওয়াফার সাইড দৈর্ঘ্য

182 ± 0.25 মিমি

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

ওয়েফার ব্যাস

φ247 ± 0.25 মিমি

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

সংলগ্ন পক্ষের মধ্যে কোণ

90° ± 0.2°

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

বেধ

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

টিটিভি (মোট বেধের প্রকরণ)

≤27 µm

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

কাটিয়া পদ্ধতি

ডিডাব্লু

--

পৃষ্ঠের গুণমান

কাটা এবং পরিষ্কার হিসাবে, কোনও দৃশ্যমান দূষণ নয়, (তেল বা গ্রিজ, আঙুলের ছাপ, সাবানের দাগ, স্লারি দাগ, ইপোক্সি / আঠালো দাগ অনুমোদিত নয়)

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

দেখেছি চিহ্ন / পদক্ষেপ

≤ 15µm

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

নম

≤ 40 µm

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

ওয়ার্প

≤ 40 µm

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

চিপ

গভীরতা ≤0.3 মিমি এবং দৈর্ঘ্য ≤ 0.5 মিমি সর্বোচ্চ 2 / পিসি; কোনও ভি-চিপ নেই

নগ্ন চোখ বা ওয়েফার পরিদর্শন ব্যবস্থা

মাইক্রো ফাটল / গর্ত

অনুমতি নেই

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম