পি টাইপ ফুল স্কোয়ার মনোক্রিস্টালাইন সোলার ওয়েফার

পি টাইপ ফুল স্কোয়ার মনোক্রিস্টালাইন সোলার ওয়েফার

একটি পদ্ধতি হ'ল মনোক্রিস্টালাইন ওয়েফার জুড়ে প্রস্থটি 125 মিমি থেকে 156 মিমি পর্যন্ত বাড়ানো এবং মডিউলটির আকার বৃদ্ধি করা, যেমন 158.75 মিমি সিউডো-স্কোয়ার মনোক্রিস্টলাইন ওয়েফার বা পূর্ণ বর্গাকার মনোোক্রিস্টলাইন ওয়েফার (ওয়েফার ডাইমিমিটার 223 মিমি)। 158.75 মিমি পূর্ণ বর্গাকার মনোোক্রিস্টলাইন ওয়েফার (ওয়েফার ডাইমিমিটার 223 মিমি) এম 2 ফর্ম্যাটের তুলনায় ওয়েফার অঞ্চলটি প্রায় 3.1% বৃদ্ধি করে, যা প্রায় 10Wp দ্বারা 60-সেল মডিউলটির শক্তি বৃদ্ধি করে।
Share to
অনুসন্ধান পাঠান
এখন চ্যাট করুন
বিবরণ
প্রযুক্তিগত পরামিতি


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


একটি পদ্ধতি হ'ল মনোক্রিস্টালাইন ওয়েফারের প্রস্থটি 125 মিমি থেকে 156 মিমি পর্যন্ত প্রস্থ বৃদ্ধি করার পথ অনুসরণ করা এবং মডিউলটির আকার বৃদ্ধি করা, যেমন 158.75 মিমি সিউডো-স্কোয়ারমনোক্রিস্টালাইনওয়েফার বা পূর্ণ বর্গক্ষেত্রমনোক্রিস্টালাইনওয়েফার (ওয়েফার ডায়ামিটার 223 মিমি)। দ্য158.75 মিমিপুরো বর্গমনোক্রিস্টালাইনতীব্রওয়েফার ডায়ামিটার 223 মিমি) এম 2 ফর্ম্যাটের তুলনায় ওয়েফার অঞ্চলটি প্রায় 3.1% বৃদ্ধি করে, যা প্রায় 60Wp দ্বারা 60-সেল মডিউলটির শক্তি বৃদ্ধি করে।


1 বস্তুর বৈশিষ্ট্য

সম্পত্তি

স্পেসিফিকেশন

পরিদর্শন পদ্ধতি

বৃদ্ধি পদ্ধতি

সিজেড


স্ফটিকতা

মনোক্রিস্টালাইন

প্রেফেরেনশিয়াল এট কৌশল(এএসটিএম F47-88)

পরিবাহিতা প্রকার

পি-টাইপ

নেপসন ইসি -80 টিপিএন

P/N

ডোপ্যান্ট

বোরন, গ্যালিয়াম

-

অক্সিজেন ঘনত্ব [ওআই]

≦8E+17 এ / সেমি3

এফটিআইআর (এএসটিএম এফ 121-83)

কার্বন ঘনত্ব [সিএস]

≦5E+16 এ / সেমি3

এফটিআইআর (এএসটিএম এফ 123-91)

পিচ পিটের ঘনত্ব (বিশৃঙ্খলা ঘনত্ব)

≦500 সেমি-3

প্রেফেরেনশিয়াল এট কৌশল(এএসটিএম F47-88)

সারফেস ওরিয়েন্টেশন

[জিজি] এলটি; 100 [জিজি] জিটি; ± 3 °

এক্স-রে ডিফারাকশন পদ্ধতি (ASTM F26-1987)

সিউডো বর্গক্ষেত্রের ওরিয়েন্টেশন

[জিজি] এলটি; 010 [জিজি] জিটি ;, [জিজি] এলটি; 001 [জিজি] জিটি; ± 3

এক্স-রে ডিফারাকশন পদ্ধতি (ASTM F26-1987)

2 বৈদ্যুতিক সরন্জাম

সম্পত্তি

স্পেসিফিকেশন

পরিদর্শন পদ্ধতি

প্রতিরোধ ক্ষমতা

0.5-1.5 Ω সেমি

ওয়াফার পরিদর্শন ব্যবস্থা

এমসিএলটি (সংখ্যালঘু ক্যারিয়ারের জীবনকাল)

≧50 μs

সিন্টন বিসিটি -400

(ইনজেকশন স্তর সহ: 1E15) সেমি-3)

3জ্যামিতি



সম্পত্তি

স্পেসিফিকেশন

পরিদর্শন পদ্ধতি

জ্যামিতি

পুরো বর্গাকার


ওয়াফার সাইড দৈর্ঘ্য

158.75 ± 0.25 মিমি

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

ওয়েফার ব্যাস

23223 ± 0.25 মিমি

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

সংলগ্ন পক্ষের মধ্যে কোণ

90° ± 0.2°

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

বেধ

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

টিটিভি (মোট বেধের প্রকরণ)

≤27 µm

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম



image

4 পৃষ্ঠের বৈশিষ্ট্য

সম্পত্তি

স্পেসিফিকেশন

পরিদর্শন পদ্ধতি

কাটিয়া পদ্ধতি

ডিডাব্লু

--

পৃষ্ঠের গুণমান

কাটা এবং পরিষ্কার হিসাবে, কোনও দৃশ্যমান দূষণ নয়, (তেল বা গ্রিজ, আঙুলের ছাপ, সাবানের দাগ, স্লারি দাগ, ইপোক্সি / আঠালো দাগ অনুমোদিত নয়)

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

দেখেছি চিহ্ন / পদক্ষেপ

≤ 15µm

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

নম

≤ 40 µm

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

ওয়ার্প

≤ 40 µm

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম

চিপ

গভীরতা ≤0.3 মিমি এবং দৈর্ঘ্য ≤ 0.5 মিমি সর্বোচ্চ 2 / পিসি; কোনও ভি-চিপ নেই

নগ্ন চোখ বা ওয়েফার পরিদর্শন ব্যবস্থা

মাইক্রো ফাটল / গর্ত

অনুমতি নেই

ওয়েফার পরিদর্শন সিস্টেম




গরম ট্যাগ: পি টাইপ পূর্ণ বর্গাকার মনোক্রিস্টালিন সোলার ওয়েফার, চীন, সরবরাহকারী, উত্পাদনকারী, কারখানা, চীন এ তৈরি

অনুসন্ধান পাঠান
অনুসন্ধান পাঠান