4H N-টাইপ SiC সাবস্ট্রেট

এন-টাইপ SiC সাবস্ট্রেটগুলি উন্নত পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে হোমোপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়। উচ্চতর বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় কর্মক্ষমতা সহ, এই উচ্চ-পারফরম্যান্সের SiC সাবস্ট্রেটটি বৈদ্যুতিক যানবাহন, ফটোভোলটাইক সিস্টেম, বায়ু শক্তি এবং অন্যান্য নতুন শক্তি প্রযুক্তি জুড়ে উচ্চ-শক্তি প্রয়োগের জন্য উপযুক্ত৷ পণ্যের পরিসরে রয়েছে 6-ইঞ্চি এবং 8-ইঞ্চি SiC ওয়েফার, উৎপাদনের জন্য উপলব্ধ স্ট্রেট 2-এর জন্য গ্লোবাল ক্যাপ 2-এর জন্য উপলব্ধ ক্ষমতা এবং 2 ইঞ্চি। পরবর্তী প্রজন্মের পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশন।