পণ্য পরিচিতি
P-টাইপ SiC সাবস্ট্রেটগুলি হোমোপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি এবং অতি-উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। চমৎকার বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য সহ, এই উচ্চ-কর্মক্ষমতাSiC সাবস্ট্রেটঅতি-হাই-ভোল্টেজ পাওয়ার ট্রান্সমিশন এবং স্মার্ট গ্রিড অবকাঠামো সহ উচ্চ-পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনের চাহিদার জন্য উপযুক্ত।
এই P- প্রকারSiC ওয়েফারএছাড়াও রেল ট্রানজিট, ইন্ডাস্ট্রিয়াল পাওয়ার সিস্টেম এবং অন্যান্য উচ্চ-পাওয়ার বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি যেখানে উচ্চ-ভোল্টেজ ক্ষমতা, নির্ভরযোগ্যতা, এবং দক্ষ শক্তি রূপান্তর প্রয়োজন হয় সেগুলিতে অ্যাপ্লিকেশনগুলিকে সমর্থন করে৷
স্পেসিফিকেশন
| 6-ইঞ্চি | |
|---|---|
| ব্যাস | 150.0 মিমি+0মিমি/-0.2 মিমি |
| সারফেস ওরিয়েন্টেশন | 4 ডিগ্রী দিকে<1120>±0.5 ডিগ্রী |
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | 47.5 মিমি±1.5 মিমি |
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | <1120>±5.0 ডিগ্রী |
| খাঁজ ওরিয়েন্টেশন | / |
| খাঁজ কোণ | / |
| খাঁজ গভীরতা | / |
| পুরুত্ব | 350.0um±25.0um |
| পলিটাইপ | 4H |
| টাইপ | p- প্রকার |
| 8-ইঞ্চি | |
|---|---|
| ব্যাস | 200.0 মিমি+0মিমি/-0.2 মিমি |
| সারফেস ওরিয়েন্টেশন | 4 ডিগ্রী দিকে<1120>±0.5 ডিগ্রী |
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | খাঁজ |
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | / |
| খাঁজ ওরিয়েন্টেশন | <1100>±1.0 ডিগ্রী |
| খাঁজ কোণ | 90 ডিগ্রী +5 ডিগ্রী /-1 ডিগ্রী |
| খাঁজ গভীরতা | 1.0 মিমি+0.25মিমি/-0 মিমি |
| পুরুত্ব | 350.0um±25.0um |
| পলিটাইপ | 4H |
| টাইপ | p- প্রকার |
| 12-ইঞ্চি | |
|---|---|
| ব্যাস | 300.0mm±0.5mm |
| সারফেস ওরিয়েন্টেশন | 4 ডিগ্রী দিকে<1120>±0.5 ডিগ্রী |
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | খাঁজ |
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | / |
| খাঁজ ওরিয়েন্টেশন | <1100>±5.0 ডিগ্রী |
| খাঁজ কোণ | 90 ডিগ্রী +5 ডিগ্রী /-1 ডিগ্রী |
| খাঁজ গভীরতা | 1.0 মিমি+0.25মিমি/-0 মিমি |
| পুরুত্ব | 750.0um±25.0um |
| পলিটাইপ | 4H |
| টাইপ | p- প্রকার |
সার্টিফিকেট
গরম ট্যাগ: 4H P-টাইপ SiC ওয়েফার, চীন, সরবরাহকারী, প্রস্তুতকারক, কারখানা, চীনে তৈরি
